[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320494319.5 | 申请日: | 2013-08-14 |
公开(公告)号: | CN203365870U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 金相秦;权基瑛 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板,以及设有该阵列基板的显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)已在平板显示领域中占据了主导地位。TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板组成,其中彩膜基板上形成有彩膜和黑矩阵,彩膜为透光区,而其他区域利用黑矩阵遮光,以防止漏光影响显示效果。
目前,黑矩阵是利用掩膜版构图工艺,经曝光、刻蚀等步骤形成在彩膜基板上,其中使用的光刻胶(Photo Resist,简称PR)通常是负性光刻胶,即曝光时被光照到的光刻胶会保留下来。为了保证曝光质量,光刻胶中都含有大量的溶剂,并且对光刻胶进行曝光时一般都采用接近式曝光,而光刻胶中的溶剂很容易挥发,使得彩膜基板的边框区域上方的掩膜版被污染,这会造成一些本应照射到光刻胶上的光线被遮挡,导致彩膜基板的边框区域的黑矩阵被过多的刻蚀掉,发生漏光现象,影响显示效果。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种阵列基板,以及设有该阵列基板的显示装置,解决了现有技术中液晶显示器的边框区域发生漏光现象,影响显示效果的技术问题。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型提供了一种阵列基板,在所述阵列基板的边框区域包括第一金属层和第二金属层,以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层,所述第一金属层包括引线图形,所述第二金属层包括遮光图形,所述遮光图形遮挡所述引线图形以外的部分所对应的区域。
进一步,所述遮光图形的部分或全部由多个岛状图形组成,相邻的所述岛状图形之间存在缝隙。
进一步,所述第一金属层为栅极金属层,所述引线图形为栅极引线图形,所述第二金属层为数据线金属层。
或者,所述第一金属层为数据线金属层,所述引线图形为数据线引线图形,所述第二金属层为栅极金属层。
优选的,所述第一金属层或所述第二金属层从上至下依次由钼层、铝层、钼层复合形成。
本实用新型还提供了一种显示装置,包括彩膜基板和上述的阵列基板。
与现有技术相比,本实用新型所提供的上述技术方案具有如下优点:位于阵列基板的边框区域的引线图形具有遮光作用,同时位于阵列基板的边框区域的遮光图形也具有遮光作用,并且遮光图形遮挡了引线图形以外的部分所对应的区域,所以引线图形与遮光图形相配合就能够遮挡住阵列基板的边框区域的所有光路。因此,阵列基板的边框区域的光线会被引线图形和遮光图形遮挡住,即使彩膜基板的边框区域的黑矩阵被过多刻蚀而产生漏光点,也不会发生漏光现象,从而使液晶显示器的显示效果不受漏光影响。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本实用新型的实施例1所提供的阵列基板的截面示意图;
图2为本实用新型的实施例1所提供的阵列基板的平面示意图;
图3为本实用新型的实施例1所提供的阵列基板的遮光效果示意图;
图4为本实用新型的实施例2所提供的阵列基板的截面示意图;
图5为本实用新型的实施例2所提供的阵列基板的遮光效果示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
本实用新型实施例所提供的阵列基板的边框区域包括第一金属层和第二金属层,以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层,第一金属层包括引线图形,第二金属层包括遮光图形,遮光图形遮挡引线图形以外的部分所对应的区域。
本实用新型实施例中,位于阵列基板的边框区域的引线图形具有遮光作用,同时位于阵列基板的边框区域的遮光图形也具有遮光作用,并且遮光图形遮挡了引线图形以外的部分所对应的区域,所以引线图形与遮光图形相配合就能够遮挡住阵列基板的边框区域的所有光路。因此,阵列基板的边框区域的光线会被引线图形和遮光图形遮挡住,即使彩膜基板的边框区域的黑矩阵被过多刻蚀而产生漏光点,也不会发生漏光现象,从而使液晶显示器的显示效果不受漏光影响。
实施例1:
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