[实用新型]一种高性能静变电中频电源有效
申请号: | 201320495491.2 | 申请日: | 2013-08-14 |
公开(公告)号: | CN203416174U | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 龚丽君 | 申请(专利权)人: | 西安睿诺新能源有限公司 |
主分类号: | H02M5/458 | 分类号: | H02M5/458;H02M7/162 |
代理公司: | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人: | 张培勋 |
地址: | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 变电 中频 电源 | ||
1.一种高性能静变电中频电源,其特征是:至少包括整流单元(13)、逆变单元(14)、输出滤波单元(15)、检测单元(10)和控制单元(11),交流输入(1)经过整流单元(13)、逆变单元(14)、输出滤波单元(15)后,由输出滤波单元(15)输出三相三线制或三相四线制输出交流电压;输出滤波单元(15)的交流输出(9)通过检测单元(10)和控制单元(11)形成了一个反馈控制回路,控制单元(11)通过两组I/O端口分别与整流单元(13)和逆变单元(14)电连接,一路输出到可控硅整流桥(3)的控制端,另一路输出到逆变电路(5)的控制端。
2.根据权利要求1所述的一种高性能静变电中频电源,其特征是:所述的整流单元(13)包括输入滤波电路(2)、可控硅整流桥(3)、和直流滤波电路(4),三相交流电的通过输入断路器(12)后与输入滤波电路(2)输入端电连接,经输入滤波电路(2)高频滤波,输入滤波电路(2)的输出端与可控硅整流桥(3)输入端电连接,经可控硅整流桥(3)整流产生直流电压加载在直流滤波电路(4)输入端,直流滤波电路(4)输出端与下一级的逆变单元(14)输入端电连接。
3.根据权利要求2所述的一种高性能静变电中频电源,其特征是:所述的输入滤波电路(2)采用三相电抗器。
4.根据权利要求1所述的一种高性能静变电中频电源,其特征是:所述的逆变单元(14)包括逆变电路(5)和逆变变压器(6),逆变电路(5)为三组完全相同的IGBT逆变桥,每组IGBT逆变桥都与上述的直流滤波电路(4)输出端电连接,每一组IGBT逆变桥的桥路输出分别通过电感L后与一组逆变变压器初级端电连接,每组逆变变压器(6)次级端并接一个电容。
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