[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201320499540.X | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN203434185U | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李明刚 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/46;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括以下部分：
衬底；
形成在所述衬底之上的缓冲层；
形成在所述缓冲层之上的N型GaN层；
形成在所述N型GaN层之上的量子阱；
形成在所述量子阱之上的电子阻挡层；
形成在所述电子阻挡层之上的P型GaN层；
形成在所述P型GaN层之上的钝化层；
P电极，所述P电极从所述衬底的下表面贯穿至所述P型GaN层的下表面；以及
N电极，所述N电极从所述衬底的下表面贯穿至所述N型GaN层的下表面。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：形成在所述P型GaN层和所述钝化层之间的电流扩散层。
3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极从所述衬底的下表面贯穿至所述电流扩散层的下表面。
4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：形成在所述缓冲层和所述N型GaN层之间的本征层。
5.如权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极从所述衬底的下表面贯穿至所述本征层的下表面。
6.如权利要求1-5任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极和N电极的形状为正梯形。
7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，定义所述P电极的侧面与所述衬底的下表面夹角为α, 所述N电极的侧面与所述衬底的下表面夹角为β，其中，α和β的取值范围为65-80°。
8.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极和N电极的侧面以及所述衬底的下表面具有布拉格反射层。
9.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
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