[实用新型]提高SRAM写能力的位线负电压电路

权利要求书

1.一种提高SRAM写能力的位线负电压电路，包括一个耦合电容、一个电容充电电路、一个电容放电电路，其特征是：还包括一个预放电电路和一个预放电控制电路，其中耦合电容耦接在电容推动端以及电容被推动端之间，电容被推动端与位线相连；电容充电电路耦接在电源电压以及电容推动端之间，依靠电容充放电控制端和电容充电使能端控制是否对电容充电；电容放电电路耦接在电容推动端以及参考电压之间，依靠电容充放电控制端控制是否对电容放电；预放电电路耦接在电容推动端以及参考电压之间，通过预放电控制电路产生的偏置信号大小决定放电能力的大小；预放电控制电路耦接在电源电压以及参考电压之间，通过预放电控制使能信号产生偏置信号。 

2.根据权利要求1所述的提高SRAM写能力的位线负电压电路，其特征是：预放电控制电路包括一电流源和一分压元件。 

3.根据权利要求2所述的提高SRAM写能力的位线负电压电路，其特征是：该电流源为第一晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收预放电控制使能信号，其第一端接至电源电压，其第二端产生偏置信号。 

4.根据权利要求2所述的提高SRAM写能力的位线负电压电路，其特征是：分压元件为一电阻，第一端以及第二端，其第一端接至参考电压，其第二端产生偏置信号。 

5.根据权利要求1所述的提高SRAM写能力的位线负电压电路，其特征是：预放电电路为第二晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收偏置信号，其第一端接至参考电压，其第二端接至电容推动端。