[实用新型]带水冷热屏的单晶生长炉

权利要求书

1.带水冷热屏的单晶生长炉，包括石英坩埚，其特征在于，所述带水冷热屏的单晶生长炉的炉体内设有水冷热屏，水冷热屏设置在石英坩埚的上方，水冷热屏包括连接固定的水冷热屏内筒和水冷热屏外筒，水冷热屏内筒和水冷热屏外筒都呈倒锥形，且在水冷热屏内筒和水冷热屏外筒之间设有水道，水冷热屏内筒和水冷热屏外筒的上端还连接固定有连接体，水道的进口、出口分别通过连接体与进水管路、出水管路相连接。

2.根据权利要求1所述的带水冷热屏的单晶生长炉，其特征在于，所述水冷热屏内筒和水冷热屏外筒之间焊接有隔水条，通过隔水条在水冷热屏内筒和水冷热屏外筒之间形成水道。

3.根据权利要求1所述的带水冷热屏的单晶生长炉，其特征在于，所述水冷热屏内筒和水冷热屏外筒通过焊接连接，水冷热屏内筒、水冷热屏外筒与连接体也通过焊接连接。

4.根据权利要求1所述的带水冷热屏的单晶生长炉，其特征在于，所述水冷热屏与单晶生长炉中的晶棒的水平距离满足公式S=K₁/v和S=K₂/η，其中v为晶棒的拉晶速度，且v的值在1.5mm/min～6mm/min之间，K₁为常数，其值在1×10^-6～4×10^-6之间，K₂为常数,其值在8×10^-4～4×10^-3之间，S为水冷热屏内壁与晶棒最窄处的水平距离，η为晶棒的断棱率，且η的值在2%～10%之间。