[实用新型]生长石墨烯用石英平台有效
申请号: | 201320506706.6 | 申请日: | 2013-08-19 |
公开(公告)号: | CN203451615U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 金虎;刘志成;周振义;彭鹏;王增奎 | 申请(专利权)人: | 常州二维碳素科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/458;C30B25/12;C30B29/02 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213149 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生长 石墨 石英 平台 | ||
技术领域
本实用新型涉及用于石墨烯生长工具的技术领域,尤其涉及一种生长石墨烯用石英平台。
背景技术
石墨烯是2004年曼切斯特大学的Novoselov和Geim发现,其具有良好的物理、化学、电学、力学等各方面的优异性能,在新能源、新材料和电子元器件等诸多领域有着广泛的应用前景。石墨烯目前制备方法主要有:(1)微机剥离法。这种方法只能生产数量极少的石墨烯,主要停留在实验室水平上。(2)外延法。这种方法主要缺点是成本较高且硅片较小的尺寸限制了其大规模应用(3)氧化还原法。该方法生产的石墨烯缺陷较多。(4)溶剂剥离法。该方法主要缺点是生产效率比较低,限制其商业应用。(5)化学气相沉积法(CVD)。该法生产的石墨烯结构相对完整,质量较高,可用于透明电极、平板触摸屏等。化学气相沉积法的原理是将一种或多种气态物质导入到一个反应腔中发生化学反应,并在基底上沉积出一种材料。此方法生产效率高,适于工业化生产。
在工业化批量生产石墨烯薄膜的过程中,通常采用金属作为基底,金属基底一般贴附于石英舟表面。在沉积石墨烯的过程中,金属基底一般直接置于石英舟内部。然而受设备加热空间的限制,通常制备的石墨烯薄膜数量有限;并且当石英舟管径较大时,退火后金属基底硬度急剧下降,使得金属基底褶皱变形。现有技术中的“一种生长石墨烯的支架及方法”(申请号:201110442121.8)其最大优点是生长的石墨烯尺寸较大,但是也有以下缺点:1)卷绕结构的石英结构,加工困难,精度难以保证,成本也很高。2)金属基底装样和取样比较困难,退火后金属基底硬度会急剧下降,装配中如不能很好贴合,金属基底会变形,或发生褶皱,这会对之后的转片等工艺带来严重的影响,会影响石墨烯产品的质量。3)该卷绕结构层数过多时装入金属基底后,由于层与层之间完全遮挡也会导致该石英支架内的温度会有所偏差,影响石墨烯生长质量。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了解决由于石英舟内管径空间限制,而生长的石墨烯数量较少或采用卷曲石英支架生长时,卷曲结构层数较多导致温度偏差,金属基底易褶皱变形等技术问题,本实用新型提供一种生长石墨烯用石英平台。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种生长石墨烯用石英平台,该平台用于放置在管状的石英舟中进行生长石墨烯,包括多块上下设置的石英平板、相邻石英平板之间设置有用于支撑石英平板的石英柱,最底部的石英平板下方设置有底座,所述底座的底部形状与石英舟内圈相匹配。
为了便于生长平整的石墨烯,优选的所述石英平板上下平行设置。
为了适应石英舟内壁形状,优选的所述底座为弧形底座,底座的弧度与石英舟内圈相匹配。
为了支撑底座,使得石英平台尽量位于石英舟中心,优选的所述底座的底部两侧对称安装有石英支撑滑块。
为了减少推动过程中的摩擦力,优选的所述的石英支撑滑块呈圆柱状,其外圆柱面焊接在底座的底部,石英支撑滑块的两端呈圆倒角。,或者所述的石英支撑滑块呈球形,焊接在底座的底部。
为了适应石英舟内圈口径,提高空间利用率,优选的所述的多块石英平板中中间一块石英平板位于石英舟中部,且宽度D最宽且略小于石英舟内径,以中间的石英平板为界,上下两侧的石英平板的宽度向上下两端逐渐递减。
本实用新型的有益效果是,本实用新型的生长石墨烯用石英平台,结构简单,易于加工,成本较低,适合于工业化生产,其平板表面平整,无褶皱,大大提高转片的质量及石墨烯产品的合格率,对于生产平板触摸屏等中小面积的石墨烯产品,本实用新生产的石墨烯在数量和质量上具有明显的优势。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型生长石墨烯用石英平台的结构示意图。
图2是本实用新型生长石墨烯用石英平台置于石英舟中的结构示意图。
图中:1、石英舟,2、石英平板,3、石英柱,4、底座,5、石英支撑滑块。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的