[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板和一种包括所述阵列基板的显示装置。

背景技术

阵列基板是显示装置的重要部件，阵列基板至少包括数据线、栅线、薄膜晶体管和像素电极。图1中所示的是一种常见的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括源极1、漏极2、栅极3和有源层4。数据线与薄膜晶体管的源极1相连，栅线5与薄膜晶体管的栅极3相连，漏极2与像素电极6相连，通过薄膜晶体管为像素电极6充电。薄膜晶体管的充电能力越强，充电时间越短，则可以获得越好的显示效果。

随着人们对显示装置的显示质量要求越来越高，需要增加阵列基板中像素单元的个数，以提高显示装置的分辨率。像素单元个数越多，则需要的充电时间越长，因此，越来越需要提高薄膜晶体管的充电效率以及降低薄膜晶体管的充电时间。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的阵列基板和一种包括所述阵列基板的显示装置。利用该薄膜晶体管可以缩短对像素电极充电所需的时间，从而使得阵列基板可以具有较多的像素单元，进而提高显示装置的分辨率。

为了实现上述目的，作为本实用新型的一个方面，提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极，其中，所述薄膜晶体管还包括上有源层、下有源层、上源极、下源极、上漏极和下漏极，所述上有源层和所述下有源层分别位于所述栅极的上下两侧，所述下源极与所述下漏极与所述下有源层相连，所述上源极和所述上漏极与所述上有源层相连。

优选地，所述上源极和所述下源极通过第一过孔相连，所述上漏极和所述下漏极通过第二过孔相连。

优选地，所述上有源层和所述栅极之间设置有上栅极绝缘层，所述下有源层和所述栅极之间设置有下栅极绝缘层。

优选地，所述薄膜晶体管还包括覆盖所述上有源层的保护层，所述上源极和所述上漏极设置在所述保护层上，并且所述上源极通过第三过孔与所述上有源层相连，所述上漏极通过第四过孔与所述上有源层相连。

作为本实用新型的另一个方面，提供一种阵列基板，该阵列基板包括由多条数据线和多条栅线划分成的多个像素单元，每个像素单元内都设置有薄膜晶体管和与该薄膜晶体管相连的像素电极，其中，所述薄膜晶体管为本实用新型所提供的上述薄膜晶体管，所述像素电极同时与所述上漏极和所述下漏极电连接，所述数据线同时与所述上源极和所述下源极电连接。

优选地，所述上漏极和所述上源极与所述像素电极由相同的材料制成。

作为本实用新型的再一个方面，提供一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，其中，该阵列基板为本实用新型书所提供的上述阵列基板。

当本实用新型所提供的薄膜晶体管应用于阵列基板中时，上源极和下源极均与阵列基板的数据线相连，上漏极和下漏极均与像素电极相连，通电时，数据线传递的信号可以分别通过上有源层和下有源层两个通道传递，相当于两个普通的薄膜晶体管同时为像素电极充电。由此可知，本实用新型所提供的薄膜晶体管具有较高的充电能力，从而可以缩短对像素电极充电所需的时间，并因此可以提高利用所述薄膜晶体管的显示装置的显示效果。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是现有的薄膜晶体管的剖面示意图；

图2是本实用新型所提供的薄膜晶体管的剖面示意图；

图3是制造本实用新型所提供薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；

图4a至图4i以图解的方式展示了制造本实用新型所提供阵列基板的制造方法的流程。

附图标记说明

1：源极             2：漏极

3：栅极             4：有源层

5：栅线             6：像素电极

8：保护层           11：下源极

12：上源极          21：下漏极

22：上漏极          41：下有源层

42：上有源层        71：下栅极绝缘层

72：上栅极绝缘层

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。

应当理解的是，本实用新型中所述的“上、下”均是以图2中的方向进行描述的。