[实用新型]硅光电二极管

权利要求书

1. 硅光电二极管，低掺杂的长方体N型 硅晶片上设有高掺杂的P型 硅层，形成P⁺N结，硅晶片上表面设有二氧化硅膜，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，其特征是，所述低掺杂的长方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着N型硅层， P型硅层上表面二氧化硅膜上开有方形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极, N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极。

2. 根据权利要求1所述的硅光电二极管，其特征是，所述低掺杂的长方体N型硅晶片长为5.8mm，宽为1.0mm，厚度为275-285μm，电阻率为1200-4000Ω·cm。

3. 根据权利要求1所述的硅光电二极管，其特征是，所述高掺杂的P型硅层厚度为200±5μm。

4. 根据权利要求1所述的硅光电二极管，其特征是，所述金属AL的厚度为2?，所述金属Au膜的厚度为0.1?。