[实用新型]一种硅光电二极管

权利要求书

1.一种硅光电二极管，低掺杂的正方体N型硅晶片上设有高掺杂的P型硅层，形成P⁺N结，所述高掺杂的P型硅层为圆角长方体，所述低掺杂的正方体N型硅晶片的外周设有高掺杂的N型硅环，高掺杂的N型硅环和高掺杂的P型硅层之间隔着低掺杂的N型硅层，其特征是，所述高掺杂的P型硅层厚度为200±5μm ，P型硅层上表面设有氮化硅膜，在P型硅层中心部位的氮化硅膜上开有圆形接触孔，接触孔内贴附有金属AL作为阳极，N型硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极；所述低掺杂的正方体N型硅晶片边长为0.61mm，厚度为275-285μm，电阻率为1200-4000Ω·cm。

2.根据权利要求1所述的硅光电二极管，其特征是，所述金属AL的厚度为2?，所述金属Au膜的厚度为0.1?。