[实用新型]高反压双极型功率晶体管

权利要求书

1. 高反压双极型功率晶体管，在长宽为3260μm×3260μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，其特征是，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，反射区接触孔由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基极金属化电极条和反射极金属化电极条之间通过绝缘槽分割开。

2. 根据权利要求1所述的双极型功率晶体管，其特征是，所述双极型功率晶体管的芯片厚度为252±10μm，集电结深度为190±5μm。

3. 根据权利要求1所述的双极型功率晶体管，其特征是，所述集电区的电阻率为45-55?·cm。

4. 根据权利要求1所述的双极型功率晶体管，其特征是，所述小反射区的深度为20μm，直径为60μm，相邻两个小反射区之间的距离为140μm，所述反射区接触孔的直径40μm，反射区接触孔上覆盖的金属宽度为90μm。

5. 根据权利要求1所述的双极型功率晶体管，其特征是，所述基区接触孔的直径为40μm，基区接触孔上覆盖的金属宽度为70μm。

6. 根据权利要求1所述的双极型功率晶体管，其特征是，所述基区的外围的集电区上设有高掺杂P型硅的保护环，保护环与基区的横向距离为55μm，宽度为15μm，保护环深度为190±5μm。

7. 根据权利要求1所述的双极型功率晶体管，其特征是，所述基区为长为2830μm的圆角正方形，厚度为基区的厚度为190±5μm。

8. 根据权利要求1所述的双极型功率晶体管，其特征是，所述绝缘槽的宽度为20μm。