[实用新型]导磁式半导体封装结构有效
| 申请号： | 201320512681.0 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN203466177U | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 苏攀;王雪松;游平 | 申请（专利权）人： | 江西创成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 343000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导磁式 半导体 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.导磁式半导体封装结构，其特征在于：所述导磁式半导体封装结构包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、导磁材料层和环氧树脂层，所述氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件，所述导磁材料层覆盖氟硅橡胶层，所述环氧树脂层覆盖导磁材料层。
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