[实用新型]分体式射频同轴转接器

权利要求书

1.一种分体式射频同轴转接器，包括：螺母（10）、外壳体（20）、外导体、内导体、介质体，所述外壳体（20）包括插头端（21）和插座端（22），所述外导体设置于所述外壳体（20）内且与所述外壳体（20）过盈配合，所述内导体设置于所述外导体内，所述螺母（10）设置于所述外壳体（20）插头端（21），所述介质体设置于所述外导体内且与所述外导体过盈配合，所述内导体设置于所述介质体内且与所述介质体过盈配合，其特征是，所述内导体包括内导体一（31）和内导体二（32），所述内导体一（31）两端分别设置有插销一（33）和插孔一（34），所述内导体二（32）两端分别设置有插销二（35）和插孔二（36），所述插销一（33）位于所述外壳体（20）的插头端（21），所述插销二（35）位于所述插孔一（34）内，所述插孔二（36）位于所述外壳体（20）的插座端（22）。

2.如权利要求1所述的分体式射频同轴转接器，其特征是，所述外导体包括外导体一（41）和外导体二（42），所述介质体包括介质体一（51）和介质体二（52）；所述外导体一（41）位于所述外壳体（20）的插头端（21）内且与所述外壳体（20）过盈配合，所述外导体二（42）位于所述外壳体（20）的插座端（22）内且与所述外壳体（20）过盈配合，所述介质体一（51）设置于所述外导体一（41）内且与所述外导体一（41）过盈配合，所述介质体二（52）设置于所述外导体二（42）内且与所述外导体二（42）过盈配合，所述内导体一（31）设置于所述介质体一（51）内且与所述介质体一（51）过盈配合，所述内导体二（32）设置于所述介质体二（52）内且与所述介质体二（52）过盈配合。

3.如权利要求2所述的分体式射频同轴转接器，其特征是，所述外壳体（20）内壁中部设置有环状隔离壁（23），所述外导体一（41）和所述外导体二（42）分别位于所述隔离壁（23）两侧，所述介质体一（51）和所述介质体二（52）分别紧贴所述隔离壁（23）两侧，所述外导体一（41）和所述外导体二（42）分别设置有限位槽一（43）和限位槽二（44），所述介质体一（51）和所述介质体二（52）分别位于所述限位槽一（43）和所述限位槽二（44）内。

4.如权利要求3所述的分体式射频同轴转接器，其特征是，所述介质体二（52）内径大于等于所述插销二（35）的外径，且小于所述内导体一（31）和所述内导体二（32）的外径。

5.如权利要求3所述的分体式射频同轴转接器，其特征是，所述外导体一（41）材质为聚醚醚酮树脂。

6.如权利要求3所述的分体式射频同轴转接器，其特征是，所述外导体二（42）材质为聚三氟氯乙烯。

7.如权利要求1-5任一所述的分体式射频同轴转接器，其特征是，所述螺母（10）通过卡环（11）设置于所述外壳体（20）插头端（21）。