[实用新型]一种可陶瓷化的半导体封装结构有效
申请号: | 201320513463.9 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN203466178U | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 刘茂生;苏攀;游平 | 申请(专利权)人: | 江西创成半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29 |
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地址: | 343000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 半导体 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体封装技术领域,更确切地说是涉及一种可陶瓷化的半导体封装结构。
背景技术
在半导体封装技术方面,现有的技术通常采用环氧树脂进行封装,在遇到火灾的时候,环氧树脂在火烧的情况下会发生分解,导致火焰可以直接烧灼半导体,难以满足半导体耐火烧的需要。
由此可见,上述现有半导体封装结构亟待加以改进。
发明内容
本实用新型所要解决的主要技术问题在于,克服现有的半导体封装结构存在的缺陷,而提供一种可陶瓷化的半导体封装结构。
本实用新型解决其主要技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的一种可陶瓷化的半导体封装结构,包括被封装半导体器件、可陶瓷化橡胶材料层和环氧树脂层,可陶瓷化橡胶材料层覆盖被封装半导体器件,环氧树脂层覆盖可陶瓷化橡胶材料层,可陶瓷化橡胶材料层的厚度范围为0.4毫米到1.5毫米。
本实用新型的有益效果在于,采用可陶瓷化橡胶材料层位于被封装半导体器件和环氧树脂层之间,在火烧的过程中,可陶瓷化橡胶材料层会变成类似陶瓷的材料,起到隔绝火焰的作用,避免半导体直接受到火焰烧灼,起到保护被封装半导体器件的作用。
附图说明
图1为本实用新型的截面结构示意图。
附图标记说明:1、被封装半导体器件;2、可陶瓷化橡胶材料层;3、环氧树脂层。
具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例,对依据本实用新型提出的其具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
请参阅图1所示,本实用新型的一种可陶瓷化的半导体封装结构,包括被封装半导体器件1、可陶瓷化橡胶材料层2和环氧树脂层3,可陶瓷化橡胶材料层2覆盖被封装半导体器件1,环氧树脂层3覆盖可陶瓷化橡胶材料层2,可陶瓷化橡胶材料层2的厚度范围为0.4毫米到1.5毫米。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
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