[实用新型]一种激光器有效
申请号: | 201320515656.8 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN203456727U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 毛小洁;秘国江;庞庆生;邹跃;刘先达 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01S3/081 | 分类号: | H01S3/081;H01S3/136 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光器 | ||
1.一种激光器,其特征在于,包括:依次设置的第一半导体泵浦源、第一能量光纤、第一耦合系统、激光晶体和谐振腔单元;其中,谐振腔单元中设置有抗失谐器,所述抗失谐器包括两块形状为直角三角形的楔形镜,且两块楔形镜的斜边平行。
2.如权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述抗失谐器由熔融石英材料或K9玻璃制成。
3.如权利要求1或2所述的激光器,其特征在于,所述直角三角形的楔形镜的最小角为15°。
4.如权利要求3所述的激光器,其特征在于,所述谐振腔单元包括:
第一双色45°全反镜,设置在所述第一耦合系统和激光晶体之间;
在第一所述双色45°全反镜的透射光路上,依次设置有激光晶体、所述抗失谐器和平面输出镜;
在第一所述双色45°全反镜的反射光路上,依次设置有45°全反镜、偏振片、四分之一波片、普克尔盒和平凹全反镜。
5.如权利要求4所述的激光器,其特征在于,
所述普克尔盒中调Q晶体为KD*P晶体或Cr4+:YAG晶体。
6.如权利要求1所述的激光器,其特征在于,包括:所述谐振腔单元包括:
双色平凹镜,设置在所述第一耦合系统和激光晶体之间;
在所述激光晶体远离所述双色平凹镜的一侧,依次设置有Cr4+:YAG被动调Q晶体、所述抗失谐器和平面输出镜。
7.如权利要求6所述的激光器,其特征在于,所述Cr4+:YAG被动调Q晶体透过率为30%;所述平面输出镜对波长为1064nm的激光透过率为50%。
8.如权利要求1所述的激光器,其特征在于,在所述激光晶体远离所述第一耦合系统的一侧,依次设置有第二耦合系统、第二能量光纤和第二半导体 泵浦源;
所述谐振腔单元包括:
第一双色45°全反镜,设置在所述第一耦合系统和激光晶体之间;在所述第一双色45°全反镜的反射光路上,依次设置有偏振片、四分之一波片、普克尔盒和平凹全反镜;
第二双色45°全反镜,设置在所述第二耦合系统和激光晶体之间;在所述第二双色45°全反镜的反射光路上,依次设置有所述抗失谐器和平面输出镜。
9.如权利要求5或7所述的激光器,其特征在于,
所述第一半导体泵浦源提供峰值功率≤2000W的泵浦光,泵浦光脉冲宽度为100~480μs;由半导体制冷片制冷;
所述第一能量光纤的纤芯直径为800~1000μm;
所述第一耦合系统的耦合比例为1:4;
所述激光晶体为Nd:YAG晶体或Nd:YLF晶体;由半导体制冷片制冷;
所述平面输出镜面向谐振腔的一面镀透过率为70%的1064nm介质膜,另一面镀1064nm增透膜。
10.如权利要求8所述的激光器,其特征在于,
所述第一半导体泵浦源和第二半导体泵浦源提供峰值功率≤2000W的泵浦光,泵浦光脉冲宽度为100~480μs;由半导体制冷片制冷;
所述第一能量光纤和第二能量光纤的纤芯直径为800~1000μm;
所述第一耦合系统和第二耦合系统的耦合比例为1:4;
所述激光晶体为Nd:YAG晶体或Nd:YLF晶体;由半导体制冷片制冷;
所述平凹全反镜的凹面镀1064nm激光全反膜;
所述平面输出镜面向谐振腔的一面镀透过率为70%的1064nm介质膜,另一面镀1064nm增透膜。
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