[实用新型]硅镱量子级联和PIN混合发光管有效
| 申请号： | 201320516723.8 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN203631585U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄伟其 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/42 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;程新敏 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 级联 pin 混合 发光 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅镱量子级联和PIN混合发光管，包括单晶硅基层（1），其特征在于：在单晶硅基层（1）上设有P型Si层（2）或N型Si层（3），在P型Si层（2）上设有硅镱量子级联薄膜，硅镱量子级联薄膜是由两层以上的镱膜（4），并在镱膜（4）之间交替硅层（5）组成；在硅镱量子级联薄膜的最顶部设有N型Si层（3），在顶部的N型Si层（3）上设有透明电极ITO薄膜（6）；P型Si层（2）通过金属电极（8）引出后与电源（7）的正极连接，N型Si层（3）通过电极ITO膜层（6）引出后与电源（7）的负极连接。
2.根据权利要求1所述的硅镱量子级联和PIN混合发光管，其特征在于：所述的硅镱量子级联薄膜的厚度为10～100nm。
3.根据权利要求1所述的硅镱量子级联和PIN混合发光管，其特征在于：金属电极（8）处于P型Si层（2）顶部的一侧。
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