[实用新型]集成电路结构

说明书

技术领域

本实用新型主要地涉及制作绝缘体上硅集成电路，并且更具体地涉及避免与半导体绝缘体上硅集成电路中的衬底的与接触有关的短接。 

背景技术

由于典型的基于绝缘体上硅(SOI)的晶体管制作工艺需要有限的氢氟(HF)酸预算，因此在薄掩埋氧化物(BOX)的情况下，尤其对于超薄本体和BOX(UTBB)衬底而言，可能在断片(divot)完全或者部分暴露衬底。这可能经过在浅沟槽隔离(STI)之上穿过的并且连接源极/漏极(S/D)与衬底的未对准接触引起SOI/衬底短接。由于薄BOX，因此接触蚀刻具有很有限度的余地。 

因此在本领域中需要改进对由于未对准接触经过掩埋氧化物穿透所致的从源极/漏极区域到衬底的短接的防范。 

实用新型内容

本实用新型的一些实施例旨在至少部分地解决上述技术问题。 

根据本实用新型的一个方面，提供一种集成电路结构，包括：经过在衬底上的薄掩埋氧化物上面的有源半导体层形成的隔离沟槽；以及所述有源半导体层的向所述隔离沟槽中延伸的横向外延生长区域。 

优选地，所述横向外延生长区域向所述隔离沟槽中突出至如下横向距离，所述横向距离足以防止在沿着所述横向外延生长区域穿过的传导材料与所述衬底的侧壁之间的接触。 

优选地，所述横向外延生长区域突出至约5纳米的横向距离。 

优选地，集成电路结构还包括：电介质，所述电介质填充所述隔离沟槽的在所述横向外延生长区域周围的部分。 

优选地，填充所述隔离沟槽的在所述横向外延生长区域周围的部分的所述电介质接触所述衬底的侧壁。 

优选地，集成电路结构还包括：在所述有源半导体层上的焊盘氧化物和焊盘氮化物，所述隔离沟槽经过所述焊盘氧化物和所述焊盘氮化物延伸，其中所述横向外延生长从所述有源半导体层的被所述隔离沟槽暴露的边缘突出。 

优选地，集成电路结构还包括：在所述有源半导体层的包括所述横向外延生长区域的部分上形成的源极/漏极区域。 

优选地，集成电路结构还包括：在所述隔离沟槽中的保形衬垫；以及有机电介质，所述有机电介质填充所述隔离沟槽的未填充部分至所述有源半导体层以下的水平面。 

经过在衬底上的掩埋氧化物上面的有源硅层向衬底中并且经过有源硅层上的任何焊盘电介质蚀刻隔离沟槽。有源硅层的横向外延生长向隔离沟槽中形成突出物至至少约5纳米的横向距离，并且用电介质填充隔离沟槽的在突出物周围的部分。在有源硅层的包括电介质的部分上形成凸起源极/漏极区域。作为结果，在凸起源极/漏极区域的边缘周围穿过的未对准接触在隔离沟槽中保持从衬底的侧壁间隔开。 

在进行以下具体描述之前，阐述贯穿本专利文献使用的某些字眼和短语的定义可以是有利的：术语“包括”及其派生词意味着包括而不限于；术语“或者”为包含意义，这意味着和/或；短语“与......关联”和“与之关联”及其派生短语可以意味着包括、在......内包括、与......互连、包含、在......内包含、连接到或者与......连接、耦合到或者与......耦合、与......可连通、与......配合、交织、并置、与......邻近、限制于或者由......限制、具有、具有......性质等；并且术语“控制器”意味着控制至少一个操作的任何设备、系统或者其部分，可以在硬件、固件或者软件或者它们中的至少两项的某一组合中实施这 样的设备。应当注意，无论本地还是远程都可以集中或者分布与任何特定控制器关联的功能。贯穿本专利文献提供用于某些字眼和短语的定义，本领域普通技术人员应当理解，在如果不是多数则为许多实例中，这样的定义适用于这样定义的字眼和短语的先前以及将来使用。 

通过使用根据本实用新型的一些实施例的技术方案，可以至少部分地解决前述技术问题并且获得相应的技术效果。 

附图说明

为了更完整理解本公开内容及其优点，现在参照结合附图进行的以下描述，在附图中，相似标号代表相似部分。 

图1是根据本公开内容的一个实施例的半导体集成电路结构的部分的截面图，该结构使用侧向外延来避免与衬底的与接触有关的短接；并且 

图2A至图2K是根据本公开内容的一个实施例的在使用侧向外延以避免与衬底的与接触有关的短接期间半导体集成电路的部分的截面图；并且 

图3是图示根据本公开内容的一个实施例的使用侧向外延以避免与衬底的与接触有关的短接的工艺的高级流程图。 

具体实施方式