[实用新型]影像传感器的晶圆级封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术，特别涉及一种影像传感器的晶圆级封装结构。

背景技术

随着影像传感器的尺寸越来越小，焊垫数目不断增多，焊垫间距越来越窄，相应地，对影像传感器封装提出了更高的要求。

传统的影像传感器封装方法通常是采用引线键合（Wire Bonding）进行封装，但随着集成电路的飞速发展，较长的引线使得产品尺寸无法达到理想的要求，因此，晶圆级封装（Wafer Level Package，WLP）逐渐取代引线键合封装成为一种较为常用的封装方法。晶圆级封装（Wafer Level Packaging，WLP）技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片完全一致，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。

利用现有的晶圆级封装技术对影像传感器进行封装时，为了在封装过程中保护影像传感器的感光区不受损伤及污染，通常需要在感光区位置形成一个封装盖从而保护其感光区。但即使封装盖是透明的，仍会影响光线的传递，使得影像传感器的感光区光线的接收与发射不顺利，从而影响芯片的整体性能，因此在封装工艺的最后，还需要再把所述封装盖与晶圆剥离开。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种影像传感器的晶圆级封装结构，可以很方便地将保护外盖与晶圆剥离开，且不对晶圆造成损伤。

为解决上述问题，本实用新型提供一种影像传感器的晶圆级封装结构，包括：待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域；位于待封装晶圆第一表面且位于芯片区域内的焊盘和影像传感区；位于所述焊盘表面的第一围堤结构；与所述待封装晶圆第一表面相对设置的封装盖，位于所述封装盖表面的第二围堤结构，所述第二围堤结构的位置对应于切割道区域的位置，所述封装盖与待封装晶圆利用第二围堤结构固定接合，且所述第一围堤结构的顶部表面与封装盖表面相接触。

可选的，所述第二围堤结构的顶部表面与待封装晶圆的切割道区域表面直接键合或利用粘胶相粘结。

可选的，所述第一围堤结构的高度大于或等于所述第二围堤结构的高度。

可选的，所述第二围堤结构的宽度小于切割道区域的宽度。

可选的，所述第二围堤结构的宽度小于或等于切割晶圆形成的切口的宽度。

可选的，所述第二围堤结构的中心线与切割道区域的中心线重叠。

可选的，所述第二围堤结构的宽度范围为大于50微米。

可选的，所述第二围堤结构与最近的第一围堤结构之间的距离大于或等于10微米。

可选的，所述第一围堤结构完全覆盖焊盘表面且间隔设置。

可选的，所述第一围堤结构完全覆盖焊盘表面且同一芯片区域对应的第一围堤结构相连接形成环状。

可选的，所述第二围堤结构与封装盖为一体结构。

与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点：

由于所述待封装晶圆和封装盖之间利用第一围堤结构和第二围堤结构作支撑，且所述封装盖与待封装晶圆之间只利用第二围堤结构固定接合，所述第一围堤结构的顶部表面与封装盖表面仅仅相接触但不固定接合，且由于所述第二围堤结构的位置对应于切割道区域的位置，因此在切片时，当位于切割道区域的第二围堤结构被同时切割去除后，所述封装盖与待封装晶圆切片后形成的晶粒之间自动分离，既能保证在封装过程中，待封装晶圆和封装盖之间的机械强度和空腔比，又能在封装工艺的最后将封装盖与待封装晶圆自动分离，且不伤及待封装晶圆本身。

进一步，所述第二围堤结构的宽度小于或等于切割晶圆形成的切口的宽度，从而保证在切片时，位于切割道区域的第二围堤结构被完全切割去除，使得所述封装盖与待封装晶圆切片后形成的晶粒之间实现自动分离。

附图说明

图1～图11是本实用新型实施例的影像传感芯片的封装过程的结构示意图。

具体实施方式

利用现有的晶圆级封装技术对影像传感器进行封装时，在封装工艺的最后，需要将封装盖与晶圆剥离开，但如何能在不伤及晶圆的情况下简单方便地将封装盖与晶圆剥离开目前仍未有效的解决。