[实用新型]NPN型功率晶体管

权利要求书

1. NPN型功率晶体管，其特征是，在正方形的第一高掺杂N型硅（N⁺⁺）的基底上设有低掺杂N型硅（N^—）集电区，集电区的中心区域设有正方形的P型硅的基区，基区的外围、与基区横向相隔一段距离，设有环形的P型硅的场限环，基区上设有第二高掺杂N型硅（N⁺）的发射区，所述集电区的周边设有第二高掺杂N型硅（N⁺）的沟道截止环，所述集电区、发射区和基区的上表面设有绝缘层，所述发射区的绝缘层上设有窄于发射区宽度的发射区接触孔，在所述发射区的两侧的基区的绝缘层上设有基区接触孔，所述发射区接触孔和发射区电极连接，所述基区接触孔和基极电极连接，所述场限环上设有场板，所述基底的底面设有钒镍银或钒镍金合金层，合金层和集电极电极连接。

2.根据权利要求1所述的NPN型功率晶体管，其特征是，所述发射区为若干个方形或圆形发射区单元组成的阵列，所述发射区接触孔和基区接触孔为方形孔，所述发射区的接触孔设置在周边四个基极接触孔的十字交叉中心。