[实用新型]一种直拉单晶的新型籽晶

说明书

技术领域

本实用新型属于单晶硅制备技术领域，具体涉及一种直拉法单晶硅生长用新型籽晶。

背景技术

目前常用的直拉单晶籽晶的一端开有凹槽，凹槽的上部为斜面，下部为与斜面连接的弧面，如图1所示。这种籽晶在使用时有以下两方面弊端：一方面在拆炉、清洗时容易对开槽部分造成磕碰，影响到了籽晶的使用寿命；另一方面，在进行回熔操作时，由于钼销与籽晶磕碰，一定程度上降低了籽晶的抗拉能力，增大了籽晶断的可能，进而增大了单晶掉入石英埚事故发生的几率。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种直拉单晶的新型籽晶，在拆炉和清洗过程中抗磕碰能力强，能够减少事故率，同时延长籽晶的使用寿命。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种直拉单晶的新型籽晶，所述籽晶的一端开有凹槽，并且凹槽的上部为斜面；所述凹槽的下部也为斜面。

其中，所述凹槽的上部斜面与下部斜面相互对称设置。

其中，所述凹槽的上部斜面与下部斜面的接合处为弧形过渡面。

其中，所述凹槽的上部斜面与所述籽晶的轴向的夹角为45度。

其中，所述籽晶的横截面形状为正方形或圆形。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：

本实用新型结构简单、实用，在拆炉、清洗过程中抗磕碰能力强，能够有效降低籽晶断造成闷炉事故发生的概率，同时有效延长籽晶的使用寿命，一般情况下可以延长籽晶寿命0.5炉以上。

附图说明

图1是现有直拉单晶籽晶的结构示意图；

图2是本实用新型籽晶的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

如图2所示，本实用新型为一种直拉单晶的新型籽晶，籽晶的横截面形状为正方形或圆形；籽晶的一端开有凹槽，凹槽的上部为斜面，并且凹槽的上部斜面与籽晶的轴向的夹角为45度；凹槽的下部也为斜面，并且凹槽的上部斜面与下部斜面相互对称设置，上部斜面与下部斜面的接合处为弧形过渡面。本实用新型能够有效降低籽晶断造成闷炉事故发生的概率，同时有效延长籽晶的使用寿命。