[实用新型]一种检测晶体缺陷的装置

说明书

技术领域

本实用新型属于硅晶体制备技术领域，具体涉及一种检测晶体缺陷的装置。

背景技术

采用Dash腐蚀液可以用来检测直拉单晶的晶体缺陷，但是，Dash腐蚀液腐蚀硅片反应放热，因此该检测方法受气温与反应体系温度制约很大。一旦反应体系温度上升到一定程度，会使得Dash腐蚀液腐蚀硅片的化学反应剧烈进而反应体系温度升高，在此情况下如若不停止Dash腐蚀液的腐蚀硅片操作，会使体系温度持续升高，进而使硝酸受热分解，醋酸、氢氟酸挥发更为剧烈，浪费资源的同时，检测晶体缺陷的准确性也会下降。另一方面，在冬季，由于气温很低，反应微弱，工作效率降低，也同样是原装置的一大弊端。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种检测晶体缺陷的装置，极大的提高了硅片位错显现率。

为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是：一种检测晶体缺陷的装置，包括盛有腐蚀液的腐蚀容器；还包括盛有恒温水的恒温水箱；所述腐蚀容器浸在恒温水中；所述恒温水箱中且在腐蚀容器的下方设有加热器和温度传感器；恒温水箱的外侧设有温控仪，加热器和温度传感器分别通过导线与温控仪连接。

其中，所述恒温水箱的横截面形状为方形或圆形。

其中，所述恒温水箱的上部固定有托架，腐蚀容器放置在托架上。

其中，所述温控仪通过继电器与外部电源连接。

其中，所述加热器为一个或多个直型电热管、U型电热管或异型电热管。

其中，所述腐蚀容器浸在恒温水中的高度与其露在恒温水外的高度的比值为3：1。

其中，所述温度传感器为pt100热电阻。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：本实用新型可以有效调节并控制温度，并可设置温度上限、温度下限，保证酸泡腐蚀法工艺在25～30℃下进行，确保了酸泡蚀刻法硅片的反应速率，极大的提高了硅片位错显现率。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图中：1、腐蚀容器，2、恒温水箱，3、加热器，4、温度传感器，5、托架，6、温控仪。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

如图1所示，本实用新型为一种检测晶体缺陷的装置，包括盛有腐蚀液的腐蚀容器1和盛有恒温水的恒温水箱2；恒温水箱2的横截面形状为方形或圆形，腐蚀容器1浸在恒温水中；恒温水箱2的上部固定有托架5，腐蚀容器2放置在托架5上，并且腐蚀容器1浸在恒温水中的高度与其露在恒温水外的高度的比值为3：1，这种设置比例可达到最好的调温和控温效果。恒温水箱2中且在腐蚀容器1的下方设有加热器3和温度传感器4；其中，温度传感器4为pt100热电阻，加热器3为一个或多个直型电热管、U型电热管或异型电热管，还可以采用其他各种形式的电加热器，保证恒温效果；恒温水箱2的外侧设有温控仪6，加热器3和温度传感器4分别通过导线与温控仪6连接，温控仪6通过继电器与外部电源连接。

本实用新型在现有技术的基础上增加了恒温水浴调节装置，起始水温为25-35℃，以达到起始反应速度需求，并在反应过程中吸收反应放出的热量，保证反应过程保持在工艺要求的范围内。腐蚀容器1中的腐蚀液的配方为：HF（40-42%）：HNO₃（65%）：CH₃COOH（99%以上）=1：3：12。