[实用新型]一种电阻检测电路

权利要求书

1.一种电阻检测电路，其特征在于，包括： 

带隙基准源，用以产生基准电压、基准电流以及基准到位信号； 

上升延迟单元，连接所述带隙基准源，接收所述基准到位信号，并产生对应的延迟信号； 

电压转电流电路，连接所述带隙基准源，接收所述基准电压，将所述基准电压转化为一第一电流，所述电压转电流电路包括一内部电阻，所述电压转电流电路可连接一外部电阻； 

电流镜单元，连接所述电压转电流电路，接收所述电压转电流电路输出的所述电流，并输出对应的一第二电流以及一第三电流； 

电流比较器，连接所述带隙基准源、所述上升延迟单元、所述电流镜单元以及所述电压转电流电路，接收所述基准到位信号、所述基准电流、所述延迟信号以及所述第二电流，通过将所述第二电流与所述基准电流比较，将比较结果输出至所述电压转电流电路，判断所述电压转电流电路是否连接有所述外部电阻，以控制所述第一电流； 

电流应用电路，连接所述电流镜单元以及所述上升延迟单元，在所述电流比较器比较完成后，接收所述第三电流，完成对应的功能； 

其中，所述电压转电流电路在连接有所述外部电阻的情况下，所述第一电流的值为所述基准电压除以所述外部电阻所得到的电流值，所述电压转电流电路在未连接有所述外部电阻的情况下，所述第一电流的值为所述基准电压除以所述内部电阻所得到的电流值。 

2.根据权利要求1所述的电阻检测电路，其特征在于，所述电压转电流电路包括： 

放大器，所述放大器的正向输入端连接所述带隙基准源，接收所述基准电压； 

NMOS管，所述NMOS管的栅极连接所述放大器的输出端，所述NMOS管的源极连接所述放大器的负向输入端； 

第一开关，一端连接在所述NMOS管的源极以及所述放大器的负向输入端之间，另一端连接所述内部电阻； 

第二开关，一端连接在所述NMOS管的源极以及所述放大器的负向输入端之间，另一端可连接所述外部电阻。 

3.根据权利要求2所述的电阻检测电路，其特征在于，所述第一开关在初始状态下为断开状态，所述第二开关在初始状态下为闭合状态。 

4.根据权利要求3所述的电阻检测电路，其特征在于，所述电流镜单元包括： 

若干PMOS管，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管，所述NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极，以及所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的栅极，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的源极连接一电源，所述第二PMOS管的漏极连接一电流源，所述第三PMOS管的漏极连接所述电流应用电路。 

5.根据权利要求4所述的电阻检测电路，其特征在于，所述电流比较器包括： 

第一反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第二PMOS管的漏极； 

触发器，所述触发器的输入端连接所述第一反相器的输出端，所述触发器的触发端连接所述上升延迟单元，接收所述延迟信号，所述触发器的复位端连接所述带隙基准源，接收所述基准到位信号，所述触发器的输出端连接所述第一开关，以控制所述第一开关的开合状态； 

第二反相器，连接所述触发器的输出端，所述第二反相器的输出端连接所述第二开关，以控制所述第二开关的开合状态； 

电流源，一端连接所述第一反相器的输入端以及所述第二PMOS管的漏极，另一端接地。 

6.根据权利要求5所述的电阻检测电路，其特征在于，通过比较所述电流源的电流值与所述基准电压除以所述外部电阻的最大值进行比较，若电流源的电流值大于所述基准电压除以所述外部电阻的最大值，则所述第一开关闭合，所述第二开关断开，若电流源的电流值小于所述基准电压除以所述外部电阻的最大值，则所述第二开关闭合，所述第一开关断开。