[实用新型]基于DS4212的低抖动时钟有效
申请号: | 201320531695.7 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN203434963U | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 胡钢;邱昆 | 申请(专利权)人: | 成都成电光信科技有限责任公司 |
主分类号: | H03K23/00 | 分类号: | H03K23/00 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谢敏 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 ds4212 抖动 时钟 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种时钟电路,更具体的说是涉及一种基于DS4212的低抖动时钟。
背景技术
由于光纤通信具有容量大、传送信息质量高、传输距离远、性能稳定、房电磁 、抗腐蚀能力强等优点。而光纤通道是一种高性能的串行传输协议,具有高宽带、高实时性的特点,已经成为新一代先进综合电子系统网络互连的首选方案。光纤数据卡作为电子系统与网络的接口,是构成电子网络的关键部分,其研究已经成为重要且迫切的任务。光纤数据卡内时钟的抖动对数据卡的性能的影响极大。其时钟的抖动对光纤数据卡来说越低越好。
实用新型内容
本实用新型提供一种基于DS4212的低抖动时钟,其基于芯片DS4212设计,其具有极低的相位抖动和相位噪声,且采用LVPECL差分输出,可为光纤数据卡内的FPGA提供高质量的参考时钟。
为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
基于DS4212的低抖动时钟,它包括芯片DS4212,所述的芯片DS4212的引脚OE和引脚VCC之间连接有电阻R1且引脚VCC连接在VCC上,所述的引脚VCC上连接有电容C1、电容C2和电阻R2,所述的电阻R2的另一端接地,所述的电容C2并联在电容C1的两端,所述的芯片DS4212的引脚OUTN和引脚OUTP上均连接有分压电路。
本实用新型基于芯片DS4212设计而成,芯片DS4212为高精度的差分时钟芯片,其具有极低的相位抖动和相位噪声。分压电路对引脚OUTN和引脚OUTP上的电压进行分压,避免过压的产生。电容C2和电容C1的并联,可增大容量的同时也可对满足高频特性,也可减少电路的噪声。且输出采用LVPECL差分输出,LVPECL即低电压伪发射极耦合逻辑,输出的时钟为212.5MHZ,可为FPGA提供高质量的参考时钟。
更进一步的技术方案是:
所述的引脚OUTN上的分压电路包括电阻R3和电阻R4,所述的电阻R3的电阻R4的一端均连接在引脚OUTN上,所述的电阻R3的另一端接地,所述的电阻R4的另一端连接在VCC上。利用电阻R3和电阻R4对引脚OUTN上的电压进行分压,可避免过压的状况。
所述的电阻R3和电阻R4的比值为2:5。
所述的引脚OUTP上的分压电路包括电阻R5和电阻R6,所述的电阻R5的电阻R6的一端均连接在引脚OUTP上,所述的电阻R6的另一端接地,所述的电阻R5的另一端连接在VCC上。利用电阻R5和电阻R6对引脚OUTP上的电压进行分压,可避免过压的状况。
所述的电阻R5和电阻R的比值为5:2。
所述的芯片DS4212的引脚GND接地。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型基于芯片DS4212设计,其具有极低的相位抖动和相位噪声,且采用LVPECL差分输出,可为光纤数据卡内的FPGA提供高质量的参考时钟。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的基于DS4212的低抖动时钟,它包括芯片DS4212,所述的芯片DS4212的引脚OE和引脚VCC之间连接有电阻R1且引脚VCC连接在VCC上,所述的引脚VCC上连接有电容C1、电容C2和电阻R2,所述的电阻R2的另一端接地,所述的电容C2并联在电容C1的两端,所述的芯片DS4212的引脚OUTN和引脚OUTP上均连接有分压电路。
所述的引脚OUTN上的分压电路包括电阻R3和电阻R4,所述的电阻R3的电阻R4的一端均连接在引脚OUTN上,所述的电阻R3的另一端接地,所述的电阻R4的另一端连接在VCC上。
所述的电阻R3和电阻R4的比值为2:5。
所述的引脚OUTP上的分压电路包括电阻R5和电阻R6,所述的电阻R5的电阻R6的一端均连接在引脚OUTP上,所述的电阻R6的另一端接地,所述的电阻R5的另一端连接在VCC上。
所述的电阻R5和电阻R的比值为5:2。
所述的芯片DS4212的引脚GND接地。
如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。
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