[实用新型]基于DS4212的低抖动时钟有效

专利信息
申请号: 201320531695.7 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN203434963U 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 胡钢;邱昆 申请(专利权)人: 成都成电光信科技有限责任公司
主分类号: H03K23/00 分类号: H03K23/00
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 谢敏
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 基于 ds4212 抖动 时钟
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种时钟电路,更具体的说是涉及一种基于DS4212的低抖动时钟。

背景技术

由于光纤通信具有容量大、传送信息质量高、传输距离远、性能稳定、房电磁 、抗腐蚀能力强等优点。而光纤通道是一种高性能的串行传输协议,具有高宽带、高实时性的特点,已经成为新一代先进综合电子系统网络互连的首选方案。光纤数据卡作为电子系统与网络的接口,是构成电子网络的关键部分,其研究已经成为重要且迫切的任务。光纤数据卡内时钟的抖动对数据卡的性能的影响极大。其时钟的抖动对光纤数据卡来说越低越好。

实用新型内容

本实用新型提供一种基于DS4212的低抖动时钟,其基于芯片DS4212设计,其具有极低的相位抖动和相位噪声,且采用LVPECL差分输出,可为光纤数据卡内的FPGA提供高质量的参考时钟。

为解决上述的技术问题,本实用新型采用以下技术方案:

基于DS4212的低抖动时钟,它包括芯片DS4212,所述的芯片DS4212的引脚OE和引脚VCC之间连接有电阻R1且引脚VCC连接在VCC上,所述的引脚VCC上连接有电容C1、电容C2和电阻R2,所述的电阻R2的另一端接地,所述的电容C2并联在电容C1的两端,所述的芯片DS4212的引脚OUTN和引脚OUTP上均连接有分压电路。

本实用新型基于芯片DS4212设计而成,芯片DS4212为高精度的差分时钟芯片,其具有极低的相位抖动和相位噪声。分压电路对引脚OUTN和引脚OUTP上的电压进行分压,避免过压的产生。电容C2和电容C1的并联,可增大容量的同时也可对满足高频特性,也可减少电路的噪声。且输出采用LVPECL差分输出,LVPECL即低电压伪发射极耦合逻辑,输出的时钟为212.5MHZ,可为FPGA提供高质量的参考时钟。

更进一步的技术方案是:

所述的引脚OUTN上的分压电路包括电阻R3和电阻R4,所述的电阻R3的电阻R4的一端均连接在引脚OUTN上,所述的电阻R3的另一端接地,所述的电阻R4的另一端连接在VCC上。利用电阻R3和电阻R4对引脚OUTN上的电压进行分压,可避免过压的状况。

所述的电阻R3和电阻R4的比值为2:5。

所述的引脚OUTP上的分压电路包括电阻R5和电阻R6,所述的电阻R5的电阻R6的一端均连接在引脚OUTP上,所述的电阻R6的另一端接地,所述的电阻R5的另一端连接在VCC上。利用电阻R5和电阻R6对引脚OUTP上的电压进行分压,可避免过压的状况。

所述的电阻R5和电阻R的比值为5:2。

所述的芯片DS4212的引脚GND接地。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型基于芯片DS4212设计,其具有极低的相位抖动和相位噪声,且采用LVPECL差分输出,可为光纤数据卡内的FPGA提供高质量的参考时钟。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。本实用新型的实施方式包括但不限于下列实施例。

[实施例]

如图1所示的基于DS4212的低抖动时钟,它包括芯片DS4212,所述的芯片DS4212的引脚OE和引脚VCC之间连接有电阻R1且引脚VCC连接在VCC上,所述的引脚VCC上连接有电容C1、电容C2和电阻R2,所述的电阻R2的另一端接地,所述的电容C2并联在电容C1的两端,所述的芯片DS4212的引脚OUTN和引脚OUTP上均连接有分压电路。

所述的引脚OUTN上的分压电路包括电阻R3和电阻R4,所述的电阻R3的电阻R4的一端均连接在引脚OUTN上,所述的电阻R3的另一端接地,所述的电阻R4的另一端连接在VCC上。

所述的电阻R3和电阻R4的比值为2:5。

所述的引脚OUTP上的分压电路包括电阻R5和电阻R6,所述的电阻R5的电阻R6的一端均连接在引脚OUTP上,所述的电阻R6的另一端接地,所述的电阻R5的另一端连接在VCC上。

所述的电阻R5和电阻R的比值为5:2。

所述的芯片DS4212的引脚GND接地。

如上所述即为本实用新型的实施例。本实用新型不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案,均落入本实用新型的保护范围之内。

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