[实用新型]低损耗节能硅钢片结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种低损耗节能硅钢片结构，尤其涉及一种用于1～5W的低频变压器的硅钢片。

背景技术

随着社会的发展，市场对仪器、仪表和消费类电子的需求十分巨大，近年来我国生产的相关设备每年都在1亿台以上，这些设备大多都采用了低频变压器，硅钢片是低频变压器的重要组成部分，硅钢片是一种含碳极低的硅铁软磁合金，一般含硅量为0.5%～4.5%。加入硅可提高铁的电阻率和最大磁导率，降低矫顽力、铁芯损耗铁损和磁时效。低频变压器的硅钢片则用GB14411中的EI系列，常用的规格有EI28、EI35、EI41、EI48、EI57、EI66、EI76、EI86等。1～5W的变压器常用EI28铁芯制作，其尺寸规格如图1所示，A1=8mm,B1=6mm,C1=4mm,D1=28mm,E1=4mm,F1=21mm,G1=17mm其中阴影部份为冲压加工中无法利用的废料，占总原料的29.1%，其原材料的利用率只有70.9%。按每只变压器铁芯叠厚20mm算，需要原材料0.1071kg，切除废料0.031137kg，则1亿只变压器将产生3113.7吨的废料，相当于3000万元以上的浪费，因此尽快提高材料利用率并改变这一浪费现象变得尤为重要。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构简单、冲压加工废料少、材料利用率高的低损耗节能硅钢片结构。

本实用新型所采用的技术方案是：本实用新型呈长方形，由两块E片和两块I片组成，所述两块E片开口相对且对称设置，所述E片由底片、位于所述底片两端的边柱及位于所述底片中间位置的中柱组成，所述I片位于所述边柱与所述中柱之间，且所述边柱与所述中柱之间距离与所述I片的宽度A相同，所述I片的长度B与所述E片的宽度C相同。

两块所述E片之间在所述边柱、所述中柱的连接处均形成折线。

所述宽度A为4.65mm，所述长度B为28mm，所述宽度C为28mm，所述低损耗节能硅钢片结构的长度D为40.7mm，所述边柱的宽度F为4.65mm，所述边柱的高度G为15.7mm，所述中柱的高度与所述边柱的高度G相同，所述中柱的宽度H为9.4mm。

本实用新型的有益效果是：由于本实用新型呈长方形，由两块E片和两块I片组成，所述两块E片开口相对且对称设置，所述E片由底片、位于所述底片两端的边柱及位于所述底片中间位置的中柱组成，所述I片位于所述边柱与所述中柱之间，且所述边柱与所述中柱之间距离与所述I片的宽度A相同，所述I片的长度B与所述E片的宽度C相同，所以，在制作低损耗节能硅钢片结构时，本实用新型可以同时制作两块所述E片和两块所述I片，只会产生少量的废料，且材料利用率达到97％以上。

此外，利用本实用新型硅钢片制成的铁芯与现有的由EI系列硅钢片制成的铁芯相比，其铁芯磁路得到了优化，磁阻得到了降低，均衡了磁路的各处阻力，使得绕组匝数可以同比减少而减少铜线的用量，更加节省了材料成本。

附图说明

图1是现有的EI28硅钢片结构示意图；

图2是本实用新型的结构图。

具体实施方式

如图2所示，在本实施例中，本实用新型呈长方形，由两块E片1和两块I片2组成，所述两块E片1开口相对且对称设置，所述E片1由底片3、位于所述底片3两端的边柱4及位于所述底片3中间位置的中柱5组成，所述I片2位于所述边柱4与所述中柱5之间，且所述边柱4与所述中柱5之间距离与所述I片2的宽度A相同，所述I片2的长度B与所述E片1的宽度C相同。

两块所述E片1之间在所述边柱4、所述中柱5的连接处均形成折线，在制作时，能保证所述两块E片的对称性，加快了加工进度，提高了工作效率，相对地节省了成本。

所述宽度A为4.65mm，所述长度B为28mm，所述宽度C为28mm，所述低损耗节能硅钢片结构的长度D为40.7mm，所述边柱4的宽度F为4.65mm，所述边柱4的高度G为15.7mm，所述中柱5的高度与所述边柱4的高度G相同，所述中柱5的宽度H为9.4mm，通过上述的设计，材料利用率可达到97％以上。

本实用新型在冲压时极大的降低了原有工艺对材料的浪费，是一种非常节能的硅钢片结构。本实用新型与现有的EI28铁芯相比，在制作同等功率的变压器时刻节省铁芯材料约26.4％，同时改变了硅钢片上的所述边柱4和所述中柱5的宽度，优化了铁芯磁路，降低了磁阻同时均衡了磁路各处的阻力，使得绕组匝数可以同比减少而减少铜线的用量20％以上。

本实用新型应用于制造变压器的技术领域。

虽然本实用新型的实施例是以实际方案来描述的，但是并不构成对本实用新型含义的限制，对于本领域的技术人员，根据本说明书对其实施方案的修改及与其他方案的组合都是显而易见的。