[实用新型]一种LED管芯片及LED管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种LED管芯片及LED管,尤其一种LED管芯片上的电极结构及采用该芯片的LED管。 

背景技术

所谓的LED管(LED)就是将具备直接能隙的半导体材料层做成P/N二极管，在热平衡的条件下，大部份的电子没有足够的能量跃升至导电带。再施以顺向偏压，则电子会跃升至导电带，而电子在原价键带上的原位置即产生空穴。在适当的偏压下，电子、空穴便会在P/N节区域(P-N Juction)结合而发光，电源的电流会不断的补充电子和空穴给负N型半导体和正P型半导体，使得电子、空穴结合而发光得以持续进行。LED发光的原理是电子和空穴的结合，电子所带的能量，以光的形式释放出来，称为自发放射。一般LED所放出的光便是属于此种类型。 

一颗传统的蓝绿光芯片架构如图1所示，可分成正极焊点01、透明电极02、正型氮化镓03、发光层04、极焊点05、负型氮化镓06、本质型氮化镓缓冲07、蓝宝石衬底8组成。其电极结构是直接在正型氮化镓03和负型氮化镓06上蒸发镀金或溅射镀金的Cr，Pt，Au。采用这种电极结构的芯片在封装是必需使用材料为金的连接线，且由于共金性不好，焊线质量不可靠。 

发明内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种封装成本低、焊线质量可靠的LED管芯片及采用该芯片的LED管。 

本实用新型解决其技术问题所采用的技术手段是： 

一种LED管芯片，包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体 层、发光层、P型半导体层和设置于P型半导体层上的P型电极，所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一电极接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层。 

一种LED管，包括支架、安装于支架上芯片、电连接芯片与支架的焊线和焊点、覆盖所述支架和芯片的封装胶体，将芯片固定在支架14上的导电胶141，所述芯片包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层和设置于P型半导体层上的P型电极，其特征在于：所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一电极接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层，所述焊线和焊点材料为：Au、Al、Ag、Pd、Cu或前述两种以上的合金材料的组合合金。 

本实用新型的有益效果是：本实用新型采用依次镀上的第一电极接触层、电流阻挡层、电流扩散层、第二电极接触层、第三电极接触层及最后在第三电极接触层上用化学方法镀上材料为金的电极焊线层的结构。由于采用该方法获得的电流焊线层的质地比较软，焊接性能好，在后续封装时，可以选择价格低廉的焊线材料如Al、Ag、Pd和Cu以降低成本，即使选择Au为焊线也可以形成比现有的电极结构更可靠的焊点。 

附图说明

图1是现有技术LED芯片的结构示意图； 

图2是双电极LED芯片的正面结构示意图； 

图3是图2A-A方向剖面的一种结构示意图； 

图4是图2A-A方向剖面的另一种结构示意图； 

图5是单电极LED芯片剖面的结构示意图； 

图6是双电极LED芯片焊线结构示意图； 

图7是双电极LED芯片封装结构示意图； 

图8是单电极LED芯片封装结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明。