[实用新型]一种LED芯片及LED

权利要求书

1.一种LED芯片，包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上的部分区域被去除至显露N型半导体层，所述显露的N型半导体层上设置有N型电极，所述P型半导体层上未被去除的区域设置有P型电极，其特征在于：所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于：所述N型电极包括与P型电极相同的所述第三电极层和材料为金的电极焊线层。

3.根据权利要求2所述的一种LED芯片，其特征在于：所述N型电极还包括有与P型电极相同的所述第一电极接触层、电流阻挡层和第二电极接触层。

4.根据权利要求1所述的一种LED芯片,其特征在于：所述第一电极接触层的材料为：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述电流阻挡层的材料为：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

5.根据权利要求1所述的一种LED芯片,其特征在于：所述第二电极接触层的材料为：Ti或Ni，所述第三电极接触层的材料为Au或Pt或Cr或Wu或Pd。

6.一种LED，包括支架、安装于支架上芯片、电连接芯片与支架的焊线和焊点、覆盖所述支架和芯片的封装胶体，所述芯片包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上的部分区域被去除至显露N型半导体层，所述显露的N型半导体层上设置有N型电极，所述P型半导体层上未被去除的区域设置有P型电极，其特征在于：所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层，所述焊线和焊点材料为：Au、Al、Ag、Pd、Cu或前述两种以上的合金材料的组合合金。

7.根据权利要求6所述的一种LED，其特征在于：所述N型电极包括与P型电极相同的所述第一电极接触层、电流阻挡层、第二电极接触层、第三电极层和材料为金的电极焊线层。

8.根据权利要求6所述的一种LED芯片,其特征在于：所述第一电极接触层的材料为：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述电流阻挡层的材料为：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

9.根据权利要求6所述的一种LED芯片,其特征在于：所述第二电极接触层的材料为：Ti或Ni，所述第三电极接触层的材料为Au或Pt或Cr或Wu或Pd。