[实用新型]刻划装置有效
申请号: | 201320542132.8 | 申请日: | 2013-09-02 |
公开(公告)号: | CN203445140U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 陶尚辉;谢建;王振华;杨凯;高云峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻划 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于非晶硅薄膜太阳能电池加工领域,尤其涉及一种非晶硅薄膜太阳能电池膜层的刻划装置。
背景技术
非晶硅薄膜太阳能电池在基板(玻璃)上有三层电池膜层:MO、CIGS、TCO。对电池膜层的刻划工艺需要分三次完成P1、P2、P3的刻划(图1a、图1b、图1c),而电池膜层的刻划处于整个薄膜太阳能电池加工的后段工序,在前段加工中玻璃经过高温后会产生变形,从而导致玻璃上的电池膜层起伏,而其电池膜层的刻划加工又受材料的特性影响,必须要恒定的刻划力才能实现,同时因膜层厚度的不同,导致刻划力的大小也不一样,力大则刻穿,力小则刻不透,膜厚的细微变化,力的需求亦改变。
现有的刻划装置无法做到对力的连续可调的同时保证恒力高精度的输出,使得在薄膜太阳能电池加工中刻线的的宽度、深度及均匀性都无法保证,无法满足薄膜太阳能电池刻划的工艺要求,从而降低了薄膜太阳能电池的性能,增大了生产加工的废片率。
实用新型内容
本实用新型实施例的目的在于提供一种恒力特性好,调节精度高,同时在被加工膜面起伏的情况下亦能保证有恒定的刻划力输出的的刻划装置,以解决现有加工无法满足工艺要求,使得加工的产品性能低,废品率高的问题。
本实用新型实施例是这样实现的,一种刻划装置,所述刻划装置包括:
固定板;
第一滑动限位装置,所述第一滑动限位装置至少一个、且固定在所述固定板上;
第一导柱,所述第一导柱与所述第一滑动限位装置滑动连接;
与所述第一导柱相连、用于驱动所述第一导柱在所述第一滑动限位装置上滑动的驱动装置;
其中,所述第一导柱的一端固定有锥刀套,所述锥刀套上设置有机械刻划头。
在其中一个实施例中,所述刻划装置还包括中间块;
所述驱动装置固定于所述固定板上,所述驱动装置的驱动轴与所述中间块一端固定连接,所述中间块的另一端与所述第一导柱固定连接;所述驱动装置的驱动方向与所述第一导柱平行。
在其中一个实施例中,所述刻划装置还包括固定于所述固定板上的第二导柱,所述第二导柱位于所述第一导柱的一侧且平行于所述第一导柱;
所述中间块上设有与所述第二导柱可相对滑动的第二滑动限位装置。
在其中一个实施例中,所述固定板包括底板和位于所述底板两侧且同向的柱体;
所述第一滑动限位装置为两个,且同轴设置在两个柱体上;所述第一导柱与所述第一滑动限位装置同轴连接。
在其中一个实施例中,第一、二滑动限位装置为线性滚珠导轨。
在其中一个实施例中,所述线性滚珠导轨的两端分别设置有挡圈。
在其中一个实施例中,所述驱动装置为气缸。
在其中一个实施例中,所述刻划装置还包括一提供恒压力气压的气压输出装置。
在其中一个实施例中,其特征在于,所述刻划装置上设有外罩。
本实用新型提供一种刻划装置,通过气压输出装置对气缸输出恒压力气压,使得气缸恒力输出于中间块上,中间块与第一导柱一体导向且轴向输出,同时,第二导柱由于平行于第一导柱,保证了中间块不旋转,另外,由于气压输出装置的气压输出可调,从而使得与驱动装置相连的第一导柱输出的恒力可以在遇到起伏或变化的障碍物时实现其力的大小连续调节。保证了薄膜太阳能电池加工中刻线的的宽度、深度及均匀性,满足薄膜太阳能电池刻划的工艺要求,从而避免了薄膜太阳能电池的性能的降低,增大了生产加工的成品率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是薄膜太阳能电池电池膜面刻划工艺P1、P2、P3示意图;
图2是本实用新型实施例提供的刻划装置立体图;
图3是本实用新型实施例提供的刻划装置侧视图;
图4是本实用新型实施例提供的包含外罩的刻划装置侧视图;
图5是图4的A-A剖视图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的