[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（英文：Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称：TFT-LCD）以其具有高画质、空间利用率高、低消耗动率、无辐射等优点成为市场的主流产品。TFT液晶显示器是在每个像素点上设计至少一个TFT，通过该TFT来对屏幕上的各个独立的像素进行控制，这样可以大大提高响应时间。

铟镓锌氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）是新一代用于TFT有源层的材料，其载流子迁移率是非晶硅的5～10倍，可以大大提高对像素电极的充放电速度，提高像素的响应速度，实现更快刷新率。

使用非晶硅作为有源层的材料时，可直接在有源层之上制备金属电极层，再通过刻蚀形成需要的源、漏电极形状；而使用IGZO作为有源层时，因IGZO不像非晶硅那样耐腐蚀，在进行源、漏电极刻蚀的过程中容易造成IGZO层的损伤，所以需要先在IGZO有源层上制备刻蚀阻挡层以保护IGZO层，再制备源漏金属电极层。图1为现有技术中薄膜晶体管的俯视示意图，如图1所示，该薄膜晶体管包括：源电极1、漏电极2、栅电极3、IGZO有源层（图中未示出）、IGZO有源层上的刻蚀阻挡层5、刻蚀阻挡层5上设置有两个相对设置的过孔，其中，源电极1通过过孔7与IGZO有源层4导通，漏电极2通过过孔6与IGZO有源层导通。在实际TFT制作过程中，由于曝光机台最小精度也即解像度的影响，接近最小精度的图形，会由于成像、显影、刻蚀的影响，会导致制成的过孔有一定的形变，实际制成后的过孔，是带有圆角的矩形，甚至接近一个圆形，源电极、漏电极通过过孔与有源层连接导通，圆孔的直径决定了TFT导通时的沟道的宽度。因此，过孔6和过孔7之间的距离决定TFT的沟道长，过孔6和过孔7的边长（直径）决定TFT的沟道宽。

现有技术存在以下问题：在图1所示的结构中，TFT的源电极和栅电极之间的寄生电容较大，TFT的漏电极和栅电极之间的寄生电容较大，当用于液晶显示装置时，增大像素电压浮动，降低显示效果。

实用新型内容

本实用新型提供一种一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，其可以减小像素电压浮动，提高显示效果。

为实现上述目地，本实用新型提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅电极、有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，所述刻蚀阻挡层上设置于所述有源层与所述源电极和漏电极之间并且设置有第一过孔和第二过孔，所述源电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏电极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述栅电极与部分所述第一过孔和部分所述第二过孔重合，以及与所述第一过孔和所述第二过孔之间的部分重合。

优选地，所述第一过孔和所述第二过孔为带有圆角的矩形，所述栅电极与所述第一过孔的重合部分以及所述栅电极与所述第二过孔的重合部分至少能够连接所对应的矩形的两条相对的直边。

优选地，所述栅电极分别与所述第一过孔的一半和所述第二过孔的一半重合。

优选地，所述第一过孔和所述第二过孔的形状相同。

优选地，所述第一过孔和所述第二过孔的面积相等。

优选地，所述有源层为铟镓锌氧化物薄膜层。

优选地，所述刻蚀阻挡层为硅氧化物薄膜层，或者硅氮化物薄膜层，或者硅氧化物和硅氮化物形成的复合层。

优选地，从用于设置所述薄膜晶体管的基板侧起依次设置有所述栅电极、栅极绝缘层、所述有源层、所述刻蚀阻挡层、所述源电极和漏电极。

优选地，从用于设置所述薄膜晶体管的基板侧起依次设置有所述有源层、所述刻蚀阻挡层、所述源电极和漏电极、栅极绝缘层和所述栅电极。

为实现上述目的，本实用新型提供一种阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用上述的薄膜晶体管。

为实现上述目的，本实用新型提供一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，所述阵列基板采用上述的阵列基板。

为实现上述目的，本实用新型提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成栅电极的步骤；

形成有源层的步骤；

形成刻蚀阻挡层的步骤，其中采用构图工艺在所述刻蚀阻挡层上形成第一过孔和第二过孔；使得所述栅电极与所述第一过孔的一部分和所述第二过孔的一部分重合，并与所述第一过孔和所述第二过孔之间的部分重合；