[实用新型]一种功率放大装置有效
申请号: | 201320543585.2 | 申请日: | 2013-09-02 |
公开(公告)号: | CN203406835U | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 任志雄;刘览琦;石琴琴 | 申请(专利权)人: | 武汉芯泰科技有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F3/189 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430073 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 放大 装置 | ||
1.一种功率放大装置,其特征在于,包括传输线变压器和N个子功率放大器;所述传输线变压器包括N个并联的主线圈和N个串联的次线圈,N个主线圈分别与N个子功率放大器的差分输出端连接,次线圈的输出端用于连接负载阻抗;N为大于等于2的正整数。
2.如权利要求1所述的功率放大装置,其特征在于,所述子功率放大器包括第一隔直滤波电容、第二隔直滤波电容、第一偏置电阻、第二偏置电阻、第一MOS管、第二MOS管和共栅级放大电路;
第一隔直滤波电容的一端作为子功率放大器的差分信号输入正端,第一隔直滤波电容的另一端连接至第一MOS管的栅极;
第二隔直滤波电容的一端作为子功率放大器的差分信号输入负端,第二隔直滤波电容的另一端连接至第二MOS管的栅极;
第一偏置电阻的一端作为共源MOS管的第一偏置输入端,第一偏置电阻的另一端连接至所述第一MOS管的栅极;
第二偏置电阻的一端与所述第一偏置电阻的一端连接,第二偏置电阻的另一端连接至所述第二MOS管的栅极;
所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接后再接地;
所述共栅级放大电路的输入端与所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极连接,所述共栅级放大电路的输出端作为所述子功率放大器的所述差分输出端,所述共栅级放大电路的控制端作为共栅MOS管的第二偏置输入端。
3.如权利要求1所述的功率放大装置,其特征在于,所述子功率放大器包括第一隔直滤波电容、第二隔直滤波电容、第一偏置电阻、第二偏置电阻、第一MOS管、第二MOS管和多个并联连接的共栅级放大电路;
第一隔直滤波电容的一端作为子功率放大器的差分信号输入正端,第一隔直滤波电容的另一端连接至第一MOS管的栅极;
第二隔直滤波电容的一端作为子功率放大器的差分信号输入负端,第二隔直滤波电容的另一端连接至第二MOS管的栅极;
第一偏置电阻的一端作为共源MOS管的第一偏置输入端,第一偏置电阻的另一端连接至所述第一MOS管的栅极;
第二偏置电阻的一端与所述第一偏置电阻的一端连接,第二偏置电阻的另一端连接至所述第二MOS管的栅极;
所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接后再接地;
所述共栅级放大电路的输入端与所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极连接,所述共栅级放大电路的输出端作为子功率放大器的所述差分输出端,所述共栅级放大电路的控制端作为共栅MOS管的第二偏置输入端。
4.如权利要求2或3所述的功率放大装置,其特征在于,所述共栅级放大电路包括第三MOS管、第四MOS管和第三偏置电阻;
所述第三MOS管的源极与所述第一MOS管的漏极连接,所述第四MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极连接;所述第三MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极连接;所述第三MOS管的漏极和所述第四MOS管的漏极作为共栅级放大电路的输出端;
所述第三偏置电阻的一端与所述第三MOS管的栅极连接,所述第三偏置电阻的另一端作为共栅MOS管的第二偏置输入端,控制第三MOS管、第四MOS管的导通关闭。
5.如权利要求4所述的功率放大装置,其特征在于,所述子功率放大器还包括连接在所述第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极之间的可变电容。
6.如权利要求1所述的功率放大装置,其特征在于,所述主线圈的两端作为信号输入端,用于连接所述子功率放大器的差分输出端;所述主线圈的中点作为电源输入端,用于连接电源。
7.如权利要求1-6任一项所述的功率放大装置,其特征在于,所述主线圈或所述次线圈均为N分之一圆弧形线圈。
8.如权利要求7所述的功率放大装置,其特征在于,N为2时,所述主线圈或所述次线圈均为半圆弧形线圈。
9.如权利要求7所述的功率放大装置,其特征在于,N为3时,所述主线圈或所述次线圈均为三分之一圆弧形线圈。
10.如权利要求7所述的功率放大装置,其特征在于,N为4时,所述主线圈或所述次线圈均为四分之一圆弧形线圈。
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