[实用新型]应用于高速并行光传输的大耦合对准容差半导体激光芯片及其光电器件

权利要求书

1.应用于高速并行光传输的大耦合对准容差半导体激光芯片，设置于衬底上，其特征在于：所述芯片由半导体有源区及半导体无源区构成，所述有源区上设置有半导体激光器，所述有源区的电极上连接有激光驱动和调制器，所述半导体无源区由无源光波导构成。

2.如权利要求1所述的应用于高速并行光传输的大耦合对准容差半导体激光芯片，其特征在于：所述半导体激光器为分布式布拉格反射半导体激光器、电吸收调制激光器或法布里-珀罗激光器。

3.如权利要求1所述的应用于高速并行光传输的大耦合对准容差半导体激光芯片，其特征在于：所述大耦合对准容差半导体激光芯片为单片集成。

4.应用如权利要求1所述的应用于高速并行光传输的大耦合对准容差半导体激光芯片的光电器件，其特征在于：所述光电器件内设置有应用于高速并行光传输的大耦合对准容差半导体激光芯片，所述光电器件传输速率为100Gb/s或400Gb/s。