[实用新型]开放式销用支板有效
申请号: | 201320548447.3 | 申请日: | 2013-09-04 |
公开(公告)号: | CN203481207U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 吴凤丽;姜崴;赵文平 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开放式 销用支板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种开放式销用支板,主要应用于半导体镀膜设备中,属于半导体薄膜沉积应用及制备技术领域。
背景技术
现有的半导体镀膜设备,尤其是12英寸半导体镀膜设备中,销支板在整个工艺过程中,通过自身的升降来实现不同位置上的销的统一升降,从而实现传片过程中晶圆的升降。销一般是按圆周均匀分布的,数量一般为三个或多个不等。为保证晶圆在整个工艺过程中无偏移、滑片等现象,需要保证不同位置上的销的高度是一致的,即无论在任何状态下,销的提升和下降的速度是一样的。这就对销支板的要求提高了。需要销支板在任何状态下,位于不同位置的销所处的面的升降是一致的,并保证这些面始终处于同一平面上。考虑腔体的密封以及安装空间有限,销支板一般只设有一个升降支点。这又对销支板的强度要求提高了,不允许其在高温状态下有较大的变形存在。以保证各处销的高度不会有大的差异,从而确保晶圆的传输顺畅。同时,销支板其自身也不能太重,避免因重力作用导致变形。
根据半导体产业的需要,有些设备需同时具备生产不同尺寸晶圆的能力。对于不同的晶圆直径,顶升销的位置也有不同。业内现有做法是更换加热盘以适应相应的晶圆尺寸;同时更换顶升销的支板,以适应不同的晶圆顶升位置。而更换顶销支板又带来了安装调平等一系列工作量,增加了维护成本。
发明内容
本实用新型以解决上述问题为目的,主要解决现有的销用支板不能适用两种或两种以上尺寸晶圆的不足,而提供一种结构相对简单,强度高,能同时满足多种晶圆尺寸的开放式销用支板。
为实现上述目的,本实用新型采用下述技术方案:开放式销用支板,支板主体呈三角形且一个边为开放式结构。上述支板主体的边缘处加工有基准线(2);支板主体的平面处加工有表面(3),与表面(3)相邻处分别制有精加工面A(5-1)、精加工面B(5-2)及精加工面C(5-3)。上述支板主体的三个角上分别制有顶销位置A(4)、顶销位置B(6)、顶销位置C(7)、顶销位置D(8)、顶销位置E(9)及顶销位置F(11)。上述支板主体的顶角上制有通孔(1),与升降机构运动部件连接,支板主体的顶角上还制有销孔(10),销孔(10)用于确保连接精度。
上述支板主体采用陶瓷材料,充分利用了陶瓷强度高,高温变形小等优势。
本实用新型的有益效果及特点在于:
将多种规格的晶圆顶升位置集成在一个支板上,有效的利用精加工面,降低成本,去除多余材料,减轻重量,减小各处由于厚度不均匀而产生的热应力。本实用新型的特点还在于同一个支架可用于多种晶圆尺寸的顶升销,节省了设备转型的维护成本。结构简单合理,更好的避免了因支板的变形而导致的销高度不一,从而导致晶圆倾斜或是滑片现象的出现。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型的具体实施例的示意图。
具体实施方式
实施例
参照图1-2,开放式销用支板,支板主体呈三角形且一个边为开放式结构。上述支板主体的边缘处加工有基准线2;支板主体的平面处加工有表面3,与表面3相邻处分别制有精加工面A5-1、精加工面B5-2及精加工面C5-3。上述支板主体的三个角上分别制有顶销位置A4、顶销位置B6、顶销位置C7、顶销位置D8、顶销位置E9及顶销位置F11。上述支板主体的顶角上制有通孔1,与升降机构运动部件连接,支板主体的顶角上还制有销孔10,销孔10用于确保连接精度。
如图2所示,大晶圆12由顶销位置A4、顶销位置D8、顶销位置F11顶升;小晶圆13由顶销位置B6、顶销位置C7、顶销位置E9顶升。如设备有需要做不同规格晶圆时,则将顶升销安装于相应位置即可。
所述的销孔10为1个,通孔1为3个。
安装时,支板主体通过销孔10来实现与升降机构的定位,通过通孔1来实现与升降机构的紧固连接。
使用时,将本实用新型安装于顶升机构的运动部件顶端,基准线2用于测量安装方向,销孔10用于定位保证安装精度,螺钉通过通孔1紧固,这样整个销支板的安装就完成了。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造