[实用新型]内存卡控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种控制电路，尤其涉及控制内存卡读写的控制电路。

背景技术

为了实现内存卡读写速度的控制，需要在控制电路中加入控制电路，以通过改变阻抗值或其他方式形成电压及电流值的变化，从而控制施加在内存卡芯片上的电路参数，改变其读取和写入速度。

在传统的电路结构中，为了实现此方式通常使用N通道金属氧化场效半导晶体管做为控制电路，利用NMOS FET导通或截止特性来控制阻抗值。但是NMOS FET工作时产生跨电压，会导致电路整体工作电压不稳定，无法实现对内存卡芯片的有效控制；同时由于NMOS FET的电力学特性，在使用时必须给出额外的功率补偿，功耗较大。

发明内容

针对现有技术的缺陷，本实用新型公开了一种内存卡控制电路，利用DG MOSFET做为调整电路的开关组件，降低功率消耗并提升芯片良率。

为实现上述目的，本实用新型是通过下述技术方案实现的：

内存卡控制电路，所述控制电路包括连接到内存卡芯片的多个串联的电阻，连接到内存卡芯片的多个串联的双闸极金氧半导场效晶体管，其中双闸极金氧半场效晶体管的汲极和闸极分别连接到对应电阻的两端。

其中，所述双闸极金氧半导场效晶体管包括N型基材，在N型基材具有闸极、汲极、源极及基极。

在本实用新型中，可适用的内存卡包括TF、SD或CF，但是DRAM、SRAM由于其读写特性的不同，不可适用本实用新型的控制电路。本实用新型的控制电路通常是适用于以电压或电流作用于单个存储芯片作为开关信号以产生相应的读取、写入、清除。

通过上述结构，利用双闸极金氧半导场效晶体管连接控制电阻是否连接于芯片读写，将双闸极金氧半场效晶体管的汲极和闸极加上高电位利用浮置闸极来吸引电子，同时将源极接地或接至低电位，以形成该双闸极金氧半场效晶体管不受闸极控制而呈现开路状态，反之，将双闸极金氧半导场效晶体管的源极加上高电位，同时将汲极和闸极接地或接至低电位，并利用电子往正电位特性把浮置闸极内的电子吸出而达到双闸极金氧半场效晶体管可由闸极控制。

其中，所述双闸极金氧半导场效晶体管优选为P通道双闸极金氧半场效晶体管；此外，N通道双闸极金氧半场效晶体管亦可应用。

附图说明

图1为本实用新型的电路示意图；

图2为本实用新型所用双闸极金氧半场效晶体管的结构示意图。

具体实施方式

参考附图1、2，本实用新型的控制电路，利用P通道双闸极金属氧化物半导场效晶体管作为控制电路开关组件，该P通道双闸极金氧半导场效晶体管为四极端组件，包括有：N型基材31以与闸极32、汲极33、源极34及基极35，闸极32包括有门极321、第一氧化层322、浮置闸极323及第二氧化层324，利用浮置闸极323记忆双闸极金氧半导场效晶体管3能否受闸极控制做开启或关闭的动作，从而用以控制第一、二、三电阻(R1、R2、R3)，再利用第一、二、三P通道双闸极金氧半导场效晶体管(DP1、DP2、DP3)，用以连接控制对应电阻是否连接于内存卡芯片。

上述控制方法的原理为将双闸极金氧半导场效晶体管的闸极加上高电位，同时将汲极和源极接地，利用电子往正电位特性把N基材中多数电子吸入浮置闸极内，将双闸极金氧半场效晶体管导通且不受闸极控制，此时双闸极金氧半场效晶体管导通；反过程为将双闸极金氧半场效晶体管的源极加上高电位，同时将汲极和闸极接地或接至低电位，把浮置闸极内电子经由P通道吸出，可将先前所储存的电子清除呈现电中性，此时双闸极金氧半场效晶体管可由闸极控制，而达到清除内存卡芯片的效果。