[实用新型]一种C/S双波段功放

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子通信领域，具体涉及一种C/S双波段功放。

背景技术

随着社会生产的发展，电工电子的快速发展，大量的电子科技产品被生产、使用，随着电子行业的广泛发展，C/S双波段功放的生产和应用是不可忽视的，申请号为CN201120412812.9公开了一种S波段倍频程宽带功率放大器装置，它涉及通信领域中信道部分的功率放大器装置,它由射频放大电路、外围电路等部件共同组成，本实用新型采用了功率平衡分路、功率平衡合成技术，完成了功率分路与合成，具有射频开关功能，提供功率正向输出电平取样放大及反射功率保护功能，该功率放大器装置采用全固态化设计，提高了功放的寿命，减少维修的时间，特别适合用于S波段的通信系统中的功率放大器，但是该功放不具有频段切换功能，不能实现C频段和S频段的相互切换，频带宽带窄、效率低、体积大、功率小，并且耐温性能差等缺点。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种C/S双波段功放，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。

本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：一种C/S双波段功放，包括壳体，所述壳体侧面设有输入端口和输出端口，所述壳体上设有拨杆，所述壳体内部设有腔体，所述腔体内设有前级放大电路板、激励放大器电路板和末级功率放大电路板，所述拨杆通过开关控制电路板与前级放大电路板连接，所述壳体为GaN材质，所述拨杆包括C拨杆、S拨杆和电源拨杆，所述腔体包括C腔体和S腔体，所述输入端口与末级功率放大电路板之间设有环形导波电路板，所述开关控制电路板与环形导波电路板之间设有膜片式耦合结构。

优选的，所述壳体上表面设有屏蔽层。

优选的，所述屏蔽层厚度为2—3mm。

优选的，所述C腔体内设有C射频功率放大器。

优选的，所述S腔体内设有S射频功率放大器。

优选的，所述输出端口为微带线与并联电容的结构。

本实用新型的优点在于：GaN材质耐温性能好，提高了功放的耐高温特性，设置的环形导波电路可将小功率信号回流，重新放大，提高了功放的宽带和效率，同时增大了功放的功率，膜片式耦合结构的应用减小了功放的体积，达到了功放小体积便于使用的效果，屏蔽层的设置使功放不受外来的信号干扰，提高了工作效率，屏蔽层厚度为2—3mm，该厚度范围内能有更好屏蔽效果，C腔体和S腔体内分别设有C射频功率放大器和S射频功率放大器，可以获得足够大的射频输出功率，并保证波段在4到8GHz以及波段在2到4GHz，输出端口为微带线与并联电容的结构，该结构不仅减小了放大器的尺寸，还增加了功放带宽。 

附图说明

图1是本实用新型所述的一种C/S双波段功放的结构示意图。

图2是本实用新型所述的一种C/S双波段功放的内部电路板图。

图3是本实用新型所述的一种C/S双波段功放的后视图。

其中：1—壳体，2—输入端口，3—输出端口，4—拨杆，5—腔体，6—前级放大电路板，7—激励放大电路板，8—末级功率放大电路板，9—开关控制电路板，10—C拨杆，11—S拨杆，12—电源拨杆，13—C腔体，14—S腔体，15—环形导波电路板，16—膜片式耦合结构，17—屏蔽层，18—凹槽，19—C射频功率放大器，20—S射频功率放大器。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

如图1和图3所示，本实用新型所述的一种C/S双波段功放，一种C/S双波段功放，包括壳体1，所述壳体1侧面设有输入端口2和输出端口3，所述壳体1上设有拨杆4，所述壳体1内部设有腔体5，所述腔体5内设有前级放大电路板6、激励放大器电路板7和末级功率放大电路板8，所述拨杆4通过开关控制电路板9与前级放大电路板6连接，所述壳体1为GaN材质，所述拨杆4包括C拨杆10、S拨杆11和电源拨杆12，又如图2所示，所述腔体5包括C腔体13和S腔体14，所述输入端口2与末级功率放大电路板8之间设有环形导波电路板15，所述开关控制电路板9与环形导波电路板15之间设有膜片式耦合结构16，GaN材质耐温性能好，提高了功放的耐高温特性，设置的环形导波电路可将小功率信号回流，重新放大，提高了功放的宽带和效率，同时增大了功放的功率，膜片式耦合结构的应用减小了功放的体积，达到了功放小体积便于使用的效果。