[实用新型]一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构及倒装LED芯片有效

专利信息
申请号: 201320550892.3 申请日: 2013-09-05
公开(公告)号: CN203521454U 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 唐小玲;夏红艺;罗路遥 申请(专利权)人: 深圳市智讯达光电科技有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/38
代理公司: 深圳市凯达知识产权事务所 44256 代理人: 刘大弯
地址: 518057 广东省深圳市南山区高新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 倒装 led 芯片 欧姆 接触 电极 结构
【权利要求书】:

1.一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构,芯片包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底下侧的N型半导体层和置于N型半导体层下侧的P型半导体层, 

其特征在于:P型半导体层下侧覆盖有P型欧姆接触电极层,在P型半导体层和P型欧姆接触电极层上设有长条形的沟槽,沟槽从P型欧姆接触电极层的底面延伸至N型半导体层上,N型半导体层的下侧在沟槽内的部分设有N型欧姆接触电极,N型欧姆接触电极成长条形沿沟槽分布。 

2.根据权利要求1所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述沟槽内设有至少一扩展部,扩展部的宽度比沟槽其他部分宽,N型欧姆接触电极上设有N型焊盘,位于扩展部内,N型焊盘用于与N型电极连接。 

3.根据权利要求1所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述N型欧姆接触电极与沟槽的形状相同,N型欧姆接触电极和沟槽分别为一至三条,相互平行等距排布。 

4.根据权利要求3所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述N型欧姆接触电极为两条,将两条N型欧姆接触电极的同一端进行连接成U形状,N型焊盘设置在U形状的底部中间。 

5.根据权利要求1、2、3或4所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述P型欧姆接触电极层下侧设有至少一条金属电极,金属电极与N型欧姆接触电极成平行排布。 

6.根据权利要求5所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述金属电极为2~4条,与N型欧姆接触电极相互交替排布。 

7.根据权利要求5所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述P型欧姆接触电极层下侧还设有P型焊盘,各金属电极与P型焊盘连接导通,P型焊盘用于与P型电极连接。 

8.一种倒装LED芯片,包括蓝宝石衬底;N型半导体层、设置在蓝宝石衬底下侧;P型半导体层、置于N型半导体层下侧,在N型半导体层与P型半导体层之间设有量子阱层,通电后发光;P型欧姆接触电极层,设置在P型半导体层下侧,其上设置有金属电极,金属电极与P型电极连接;N型欧姆接触电极,设置于N型半导体层下侧,其上连接有N型电极; 

其特征在于:所述P型半导体层和P型欧姆接触电极层上设有一长条形的沟槽,沟槽从P型欧姆接触电极层的底面延伸至N型半导体层上,N型半导体层的下侧在沟槽内的部分设有与沟槽的形状相同的N型欧姆接触电极,N型欧姆接触电极成长条形沿沟槽分布,N型欧姆接触电极和沟槽分别为一至三条,所述P型欧姆接触电极层下侧设有至少一条金属电极,金属电极与N型欧姆接触电极成平行排布。 

9.根据权利要求8所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述沟槽内设有至少一扩展部,扩展部的宽度比其他部分宽,N型欧姆接触电极上设有N型焊盘,位于扩展部内,N型焊盘用于与N型电极连接。 

10.根据权利要求8所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述N型半导体层和P型半导体层为GaN半导体层。 

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