[实用新型]一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构及倒装LED芯片有效
申请号: | 201320550892.3 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN203521454U | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 唐小玲;夏红艺;罗路遥 | 申请(专利权)人: | 深圳市智讯达光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人: | 刘大弯 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倒装 led 芯片 欧姆 接触 电极 结构 | ||
1.一种倒装LED芯片的欧姆接触电极结构,芯片包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底下侧的N型半导体层和置于N型半导体层下侧的P型半导体层,
其特征在于:P型半导体层下侧覆盖有P型欧姆接触电极层,在P型半导体层和P型欧姆接触电极层上设有长条形的沟槽,沟槽从P型欧姆接触电极层的底面延伸至N型半导体层上,N型半导体层的下侧在沟槽内的部分设有N型欧姆接触电极,N型欧姆接触电极成长条形沿沟槽分布。
2.根据权利要求1所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述沟槽内设有至少一扩展部,扩展部的宽度比沟槽其他部分宽,N型欧姆接触电极上设有N型焊盘,位于扩展部内,N型焊盘用于与N型电极连接。
3.根据权利要求1所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述N型欧姆接触电极与沟槽的形状相同,N型欧姆接触电极和沟槽分别为一至三条,相互平行等距排布。
4.根据权利要求3所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述N型欧姆接触电极为两条,将两条N型欧姆接触电极的同一端进行连接成U形状,N型焊盘设置在U形状的底部中间。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述P型欧姆接触电极层下侧设有至少一条金属电极,金属电极与N型欧姆接触电极成平行排布。
6.根据权利要求5所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述金属电极为2~4条,与N型欧姆接触电极相互交替排布。
7.根据权利要求5所述的欧姆接触电极结构,其特征在于:所述P型欧姆接触电极层下侧还设有P型焊盘,各金属电极与P型焊盘连接导通,P型焊盘用于与P型电极连接。
8.一种倒装LED芯片,包括蓝宝石衬底;N型半导体层、设置在蓝宝石衬底下侧;P型半导体层、置于N型半导体层下侧,在N型半导体层与P型半导体层之间设有量子阱层,通电后发光;P型欧姆接触电极层,设置在P型半导体层下侧,其上设置有金属电极,金属电极与P型电极连接;N型欧姆接触电极,设置于N型半导体层下侧,其上连接有N型电极;
其特征在于:所述P型半导体层和P型欧姆接触电极层上设有一长条形的沟槽,沟槽从P型欧姆接触电极层的底面延伸至N型半导体层上,N型半导体层的下侧在沟槽内的部分设有与沟槽的形状相同的N型欧姆接触电极,N型欧姆接触电极成长条形沿沟槽分布,N型欧姆接触电极和沟槽分别为一至三条,所述P型欧姆接触电极层下侧设有至少一条金属电极,金属电极与N型欧姆接触电极成平行排布。
9.根据权利要求8所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述沟槽内设有至少一扩展部,扩展部的宽度比其他部分宽,N型欧姆接触电极上设有N型焊盘,位于扩展部内,N型焊盘用于与N型电极连接。
10.根据权利要求8所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述N型半导体层和P型半导体层为GaN半导体层。
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