[实用新型]具有双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器有效

专利信息
申请号: 201320550953.6 申请日: 2013-09-05
公开(公告)号: CN203445886U 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 唐波;苏黎;刘浩;储九荣;刘中一 申请(专利权)人: 四川汇源塑料光纤有限公司
主分类号: H04B10/61 分类号: H04B10/61;H03F3/45
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 代理人: 杨刚
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 具有 光电二极管 输入 塑料 光纤 接收器
【权利要求书】:

1.一种具有双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器,其特征在于,包括: 

两个光电二级管,一个光电二极管负责接收光信号,并将光信号转换为电流信号后输入到差分跨阻放大器的一端;另一个光电二极管不接收光信号,用于将匹配的参数输入给差分跨阻放大器; 

差分跨阻放大器,用于将电流信号转换为差分电压信号; 

差分放大器,用于放大差分电压信号; 

放大器,用于将放大后的差分电压信号转换为单端信号; 

反相器,用于将单端信号反向; 

MOS开关管,用于将反向后的单端信号产生TTL信号输出。 

2.根据权利要求1所述的具有双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器,其特征在于,所述反相器为两级。 

3.根据权利要求1或2所述的具有双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器,其特征在于,所述差分跨阻放大器包括RGC输入结构和差分放大器部分。 

4.根据权利要求3所述的具有双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器,其特征在于,所述RGC输入结构包括: 

电阻:R1、R2、R5、R6; 

NMOS管:MN1、MN2、MN3、MN9、MN10、MN11; 

反馈电阻:R7、R8; 

所述差分放大器部分包括: 

电阻:R3、R4; 

三极管:Q1、Q2; 

NMOS管:MN4、MN5、MN6、MN7、MN8; 

其中,R1的一端接电源,另一端接MN1的漏端,以及另一端同时接MN2的栅端;MN1的源端接地,MN1的栅端与MN2的源端相接,以及MN1的栅端同时与MN3的漏端相接,该MN1的栅端与MN2的源端以及MN3的漏端之间的连接处形成节点1,该节点1作为差分的一个输入; 

MN3的源端接地,MN3栅端接尾电流偏置电压VREF,R2的一端接电源电压,另一端与MN2的漏端相接,该R2与MN2的漏端之间形成节点2; 

R6的一端接电源,另一端接MN11的漏端,以及该R6另一端同时接MN10的栅端,MN11的源端接地,MN11的栅端与MN10的源端相接,以及该MN11的栅端同时与MN9的漏端相接,该MN11的栅端与MN10的源端以及MN9的漏端之间的连接处形成节点3,该节点3作为差分的另一个输入; 

MN9的源端接地,MN9栅端接尾电流偏置电压,R5的一端接电源电压,另一端与MN10的漏端相接,该R5另一端与MN10的漏端之间形成节点4; 

R3的一端接电源,另一端与MN5的漏端相接,该R3另一端同时与Q1的基极相接,该R3另一端与Q1的基极之间形成节点5,该节点5作为差分输出的一端; 

R4的一端接电源,另一端与MN6的漏端相接,该R4另一端同时与Q2的基极相接,该R4另一端与Q2的基极之间形成节点6,该节点6作为差分输出的另一端; 

MN5的源端与MN6的源端相接,MN5的源端同时与MN7的漏端相接;Q1的集电极接电源,Q1的发射极与MN4的漏端相接,Q1的发射极同时与反馈电阻R7的一端相接;MN5的栅端与R7的另一端相接,该MN5的栅端并接入节点2; 

Q2的集电极接电源,Q2的发射极与MN8的漏端相接,该Q2的发射极同时与反馈电阻R8的一端相接;MN6的栅端与R8的另一端相接,该MN6的栅端并接入节点4; 

MN4、MN7、MN8的栅端都相接,并与尾电流偏置电压VREF相接。 

5.根据权利要求4所述的双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器,其特征在于,所述反馈电阻R7上并联有补偿电容。 

6.根据权利要求4所述的双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器,其特征在于,所述反馈电阻R8上并联有补偿电容。 

7.根据权利要求1或2所述的双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器,其特征在于,所述差分放大器的电路结构包括: 

放大器AMP以及 

电阻:R31、R32、R33、R34; 

其中,R31的一端接差分输入的正向端,另一端接AMP的正向端的同时接R33的一端,R33的另一端接AMP输出的负向端;R32的一端接差分输入的负向端,另一端接AMP的负向端的同时接R34的一端;R34的另一端接AMP输出的正向端。 

8.根据权利要求1或2所述的双光电二极管差分输入的塑料光纤接收器,其特征在于,所述将差分信号转单端信号的放大器电路结构包括: 

P型MOS管MP1、MP2以及 

NMOS管:MN41、MN42、MN43、MN44; 

三极管:Q41; 

其中,MP1的源端接电源,漏端与栅端短接并与MN41的漏端相接,同时与MP2的栅端相接;MP2的源端与电源相接,漏端与MN42的漏端相接同时与Q41的基极相接;MN41与MN42的源端相接,同时接入MN43的漏端,MN43的源端接地,栅端接尾电流偏置电压VBIAS;Q41集电极接电源,发射极接MN44的漏端并形成节点1,该节点1作为放大器的输出端,MN44的源端接地,栅端接尾电流偏置电压VBIAS;MN41的栅端作为放大器的负向输入端,MN42的栅端作为放大器的正向输入端。 

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