[实用新型]高方阻铝膜有效
| 申请号： | 201320551115.0 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN203521164U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 许明建;周峰 | 申请（专利权）人： | 安徽赛福电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 244000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高方阻铝膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种高方阻铝膜，其特征是：包括基膜（1）、加厚区（2）、渐变方阻区（3），所述加厚区（2）和所述渐变方阻区（3）均为位于所述基膜（1）上方的金属蒸镀层，且所述加厚区（2）位于所述基膜（1）的一侧，所述渐变方阻区（3）位于所述基膜（1）的另一侧和所述加厚区（2）之间，且所述渐变方阻区（3）的厚度自所述加厚区（2）连接处向所述基膜（1）的另一侧逐渐降低。
2.如权利要求1所述的高方阻铝膜，其特征是：所述加厚区（2）为金属锌蒸镀层。
3.如权利要求1所述的高方阻铝膜，其特征是：所述渐变方阻区（3）为金属铝蒸镀层。
4.如权利要求1或2所述的高方阻铝膜，其特征是：所述加厚区（2）的方块电阻为（4.5±1）Ω/□。
5.如权利要求1或3所述的高方阻铝膜，其特征是：所述渐变方阻区（3）的方块电阻自所述加厚区（2）连接处向所述基膜（1）的另一侧逐渐增大，且变化曲线为平滑的S形。
6.如权利要求5所述的高方阻铝膜，其特征是：所述渐变方阻区（3）的方块电阻最大值为65Ω/□。
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