[实用新型]基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪有效
申请号: | 201320554914.3 | 申请日: | 2013-09-06 |
公开(公告)号: | CN203433085U | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 王昕;冯小明;田蕾 | 申请(专利权)人: | 广州市昆德科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 裘晖 |
地址: | 510650 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 表面光 电压 半导体材料 参数 测试仪 | ||
1.基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪,包括箱体、悬臂、样品台、测量探头,所述悬臂、样品台设置在箱体上,测量探头安装在悬臂上,测量探头探测端在样品台上方;其特征在于,所述测量探头内设置有红外激光器、感应电极片,红外激光器发射一定频率的脉冲光穿过感应电极片上的开孔,垂直照射在放置于样品台上的样品上;在悬臂内设置有电荷放大器、信号处理电路,电荷放大器与感应电极片连接,感应电极片用于采集在脉冲光激发下样品表面上的光电压引起的静电荷,电荷放大器用于将电荷放大后发送到信号处理电路,信号处理电路将信号处理后对外输出测试结果。
2.根据权利要求1所述的基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪,其特征在于,所述测试仪还包括显示屏以及显示驱动电路,显示驱动电路与信号处理电路连接,用于驱动显示屏显示信号处理电路处理后的结果。
3.根据权利要求1所述的基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪,其特征在于,所述测量探头内设置有红外激光器、感应电极片、同轴电缆线、屏蔽膜、铝合金套筒、铝合金外壳、两芯屏蔽线,红外激光器置于铝合金套筒内,两者通过一垫片隔离,铝合金套筒顶部有一圆孔,用于红外激光器所发射脉冲光射出;两芯屏蔽线焊接在红外激光器的两个管脚上,从铝金合套筒尾部穿出,与设置在箱体内部的脉冲光源驱动器连接;屏蔽膜导电的那一侧粘贴在铝合金套筒端面,绝缘的一侧设置有感应电极片;同轴电缆线焊接在感应电极片的输出端,从铝合金套筒与铝合金外壳之间的空隙穿出,与设置在悬臂内的电荷放大器的输入端连接。
4.根据权利要求3所述的基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪,其特征在于,所述红外激光器的波长为0.895-0.91μm。
5.根据权利要求3所述的基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪,其特征在于,所述脉冲光源驱动器产生脉冲信号频率为20-30Hz,脉冲宽度在200ns-240μs范围内可调,电压在10-17V范围内可调,输出瞬间脉冲功率为50-60W。
6.根据权利要求3所述的基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪,其特征在于,所述屏蔽膜为一无色透明的薄膜,厚度为0.1—0.2mm,一面是绝缘的,另一面是导电的,其导电的一面通过导电凝浆粘贴在铝合金套筒的端面。
7.根据权利要求1所述的基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪,其特征在于,所述感应电极片的结构分为两部分,一部分为柄状结构,另一部分为圆片状结构,在测量探头中,在两部分的中间部位发生弯折,圆片状结构置于屏蔽膜绝缘的那一侧,中间有孔,红外激光器发射的脉冲光通过该孔垂直照射在放置于样品台上的样品上;同轴电缆线的中心铜线焊接在柄状结构上。
8.根据权利要求7所述的基于表面光电压法的半导体材料参数测试仪,其特征在于,所述感应电极片为铍青铜材质,表面镀铬。
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