[实用新型]放大器

说明书

技术领域

本描述总体涉及放大器，更具体地，涉及折叠式共源共栅放大器。

背景技术

低噪声放大器（LNA）可以在系统的前端接收器中用来放大输入信号，并且将所放大的信号输出至系统中的其他电路（例如，调谐器、解调器等），用于进行进一步处理。为了让系统实现高输入灵敏度，LNA具有低噪声和高线性度是很重要的。

在传统LNA中，线性度由gm*Ro限制，其中gm是LNA的跨导并且Ro是LNA的输出阻抗。结果，传统LNA需要高电流，因此需要高功率，从而实现高线性度。在传统LNA中，感应器可以用于实现低噪声。然而，感应器占据较大的芯片面积，显著增大了LNA的大小。

实用新型内容

本实用新型解决如下问题：输入端参考噪声大，噪声系数大。

（1）一种放大器，包括：

第一电流增益晶体管，具有与所述放大器的输入端耦接的栅极；

第二电流增益晶体管，具有经由第一增益通路与所述放大器的所述输入端耦接的栅极；

第一共源共栅晶体管，具有与所述第一电流增益晶体管的漏极和所述第二电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第一DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的增益输出端耦接的漏极；

第三电流增益晶体管，具有经由第二增益通路与所述放大器的所述输入端耦接的栅极；以及

第二共源共栅晶体管，具有与所述第三电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第二DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的所述增益输出端耦接的漏极。

（2）根据（1）所述的放大器，其中，所述第一增益通路包括耦接在所述放大器的所述输入端与所述第二电流增益晶体管的栅极之间的第一电容器，并且所述第二增益通路包括耦接在所述放大器的所述输入端与所述第三电流增益晶体管的栅极之间的第二电容器。

（3）根据（2）所述的放大器，进一步包括：

第一电阻器，耦接在所述第二电流增益晶体管的栅极与第三DC偏置电压之间；以及

第二电阻器，耦接在所述第三电流增益晶体管的栅极与第四DC偏置电压之间。

（4）根据（1）所述的放大器，进一步包括源极跟随器晶体管，所述源极跟随器晶体管具有与所述放大器的所述增益输出端耦接的栅极，以及与所述放大器的驱动器输出端耦接的源极。

（5）根据（4）所述的放大器，进一步包括：

反馈电阻器，耦接在所述放大器的所述驱动器输出端与所述放大器的所述输入端之间；以及

输入电阻器，耦接至所述放大器的所述输入端。

（6）一种放大器，包括：

第一电流增益晶体管，具有与所述放大器的输入端耦接的栅极；

第二电流增益晶体管，具有经由增益通路与所述放大器的所述输入端耦接的栅极；以及

共源共栅晶体管，具有与所述第一电流增益晶体管的漏极和所述第二电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第一DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的增益输出端耦接的漏极。

（7）根据（6）所述的放大器，进一步包括源极跟随器晶体管，所述源极跟随器晶体管具有与所述放大器的所述增益输出端耦接的栅极，以及与所述放大器的驱动器输出端耦接的源极。

（8）根据（7）所述的放大器，进一步包括：

反馈电阻器，耦接在所述放大器的所述驱动器输出端与所述放大器的所述输入端之间；以及

输入电阻器，耦接至所述放大器的所述输入端。

（9）一种放大器，包括：

第一电流增益晶体管，具有与所述放大器的输入端耦接的栅极；

第二电流增益晶体管，具有经由增益通路与所述放大器的所述输入端耦接的栅极；

第一共源共栅晶体管，具有与所述第一电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第一DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的增益输出端耦接的漏极；以及

第二共源共栅晶体管，具有与所述第二电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第二DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的所述增益输出端耦接的漏极。

（10）根据（9）所述的放大器，其中，所述增益通路包括耦接在所述放大器的所述输入端与所述第二电流增益晶体管的栅极之间的电容器。

本实用新型提供的放大器，增益增强明显较少了输入端参考噪声，由此改善了噪声系数。

附图说明

在所附权利要求中陈述了本技术的某些特征。然而，为了阐述目的，在下图中陈述了本技术的几个实施方式。

图1示出了折叠式共源共栅放大器的实例。