[实用新型]一种功率半导体模块有效
| 申请号： | 201320555677.2 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN203617265U | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 蓝诚宇;伍刚;龚胜明;杨钦耀;陈刚 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L25/07 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315800 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 | ||
1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括：
底座；
DBC基板，所述DBC基板固定设置在所述底座的上方，所述DBC基板包括设置在其上的第一覆铜层、固定设置在所述第一覆铜层上方的陶瓷层以及固定设置在所述陶瓷层上方的多个间隔的第二覆铜层，所述陶瓷层上表面设有V字型的凹槽，所述凹槽位于相邻的两个所述第二覆铜层之间；
芯片，所述芯片固定设置在所述第二覆铜层的上方；
外壳，所述外壳覆盖所述芯片、DBC基板以及底座的上表面；
电极，所述电极固定设置在所述外壳上表面；
引线，所述引线一端连接所述电极，另一端连接所述芯片。
2.如权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，还包括：绝缘层，所述绝缘层填充所述凹槽。
3.如权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述凹槽的深度为所述陶瓷层厚度的30%—70%。
4.如权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述凹槽的宽度为0.1—2mm。
5.如权利要求3所述的功率半导体模块，其特征在于，所述凹槽位于相邻的两个所述第二覆铜层的正中间。
6.如权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于，所述凹槽位于相邻的两个所述第二覆铜层的正中间。
7.如权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述芯片包括IGBT芯片和FRD芯片。
8.如权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述芯片包括FRD芯片。
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