[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201320560673.3 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN203491287U | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 谢春林 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为图形化衬底，在衬底上依次形成的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层和导电层，所述多量子阱层由InGaN阱层和InAlGaN垒层交替层叠形成，所述InAlGaN垒层的厚度为8~15纳米。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述InGaN阱层的厚度为2~3纳米。
3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底上具有周期性排列的凹槽。
4.如权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述凹槽的宽度为2~8微米，凹槽的深度为1.5~5微米。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：形成在多量子阱层和P型层之间的电子阻挡层。
6.如权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述电子阻挡层为AlGaN层。
7.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述缓冲层包括：成核层和形成在成核层之上的本征层。
8.如权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述成核层的厚度为20~30μm。
9.如权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述本征层的厚度为2~4μm。
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