[实用新型]一种提高半导体封装良率的系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体产品封装，具体涉及一种提高半导体封装良率的系统。 

背景技术

随着我国集成电路产业的迅速发展，对半导体封装技术的要求也越来越高，这无疑推动了我国半导体封装技术的市场发展，同时也为我国半导体封装技术行业带来了前所未有的机遇。 

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品的型号及功能需求加工得到独立芯片的过程，如图1，现有的半导体前期封装系统包括依次对晶圆进行加工操作的切晶机1、焊片机2、焊线机3以及将晶圆进行注塑成型的注塑机4，该半导体前期封装系统容易造成引线框架及芯片表面存在离子污染，同时存在结合材内聚现象。 

申请号为201110087743.3的中国专利公开了名称为“半导体封装的粘片工艺”的发明专利，其半导体封装的粘片工艺包括以下步骤：a、刷胶，b、切割，c、粘合；在粘合之后还包括加热烘烤步骤，其步骤a晶圆在刷胶后其接合胶有可能内聚而导致连接不良，步骤b切割之后其引线框架及芯片表面会存在污垢，后期会影响半导体封装的整体外观。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种提高半导体封装良率的系统，提高半导体产品的封装良率，净化半导体产品中引线框架及芯片的表面。 

为了实现以上目的，本实用新型提供一种提高半导体封装良率的系统，该系统包括按照先后顺序对晶圆进行加工操作的以下仪器：一用于晶圆进行切割 操作的切晶机，一用于焊接芯片的焊片机，一用于焊接金属线的焊线机以及将晶圆进行注塑成型的注塑机，本实用新型的改进之处在于，该系统还包括离子清洗仪。 

进一步的，所述离子清洗仪包括第一离子清洗仪、第二离子清洗仪及第三离子清洗仪，所述第一离子清洗仪、第二离子清洗仪及第三离子清洗仪按先后顺序排列，对晶圆进行清洗操作。 

进一步的，所述第一离子清洗仪连接于所述切晶机与所述焊片机之间，所述第二离子清洗仪连接于所述焊片机与所述焊线机之间，所述第三离子清洗仪连接于所述焊线机与所述注塑机之间。 

本实用新型提供的一种提高半导体封装良率的系统，在焊片前等离子清洗仪可以清洗引线框架表面，改善氧化、离子污染和结合材内聚现象，焊线前等离子仪可以清洗芯片和引线框架表面并粗化表面增加焊线摩擦力，注塑成型前等离子清洗仪可以使得半导体避免出现分层现象，从而提高半导体产品的封装良率。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为现有半导体前期封装系统的流程示意图； 

图2为本实用新型提供的一种提高半导体封装良率的系统的流程示意图。 

具体实施方式

本实用新型提供一种提高半导体封装良率的系统，提高了半导体产品的封 装良率，净化了半导体产品中引线框架及芯片的表面。 

下面将结合本实用新型中的附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。 

参见图2为本实用新型提供的一种提高半导体封装良率的系统的流程示意图。本实用新型提供一种提高半导体封装良率的系统，该系统包括按照先后顺序对晶圆进行加工操作的以下仪器：一用于晶圆进行切割操作的切晶机11，一用于焊接芯片的焊片机12，所述切晶机11与所述焊片机12之间连有第一离子清洗仪21，在焊片前第一离子清洗仪21可以清洗引线框架表面，改善氧化、离子污染和结合材内聚等现象，一用于焊接金属线的焊线机13，焊片机12与所述焊线机13之间连有第二离子清洗仪22，焊线前第二离子清洗仪22用于清洗芯片和引线框架表面并粗化表面增加焊线摩擦力，将晶圆进行注塑成型的注塑机14，所述焊线机13与所述注塑机14之间连有第三离子清洗仪23，注塑成形前第三离子清洗仪23可以使得半导体避免分层现象。 

通过以上描述可知，本实用新型提供的一种提高半导体封装良率的系统，在焊片前等离子清洗仪可以清洗引线框架表面，改善氧化、离子污染和结合材内聚现象，焊线前等离子仪可以清洗芯片和引线框架表面并粗化表面增加焊线摩擦力，注塑成型前等离子清洗仪可以使得半导体避免出现分层现象，从而提高半导体产品的封装良率。 

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。