[实用新型]TFT阵列基板、显示设备有效
申请号: | 201320566355.8 | 申请日: | 2013-09-12 |
公开(公告)号: | CN203481231U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 姜晓辉;张家祥 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/50;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 显示 设备 | ||
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:
基板、设置在基板上的栅极层、设置在栅极层上的栅绝缘层以及设置在所述栅绝缘层上的有源层,其中:
所述栅绝缘层位于有源层下方的区域和所述栅绝缘层的其它区域是通过两次沉积形成的。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述栅绝缘层通过两次沉积形成包括:
通过一次半色调或灰阶掩模工艺形成栅极层和有源层,其中,有源层区域下方保留有栅绝缘层材料,有源层区域上方保留有掩膜图案;
然后再次沉积栅绝缘层材料,剥离剩余的掩膜图案。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,还包括:
设置在有源层及栅绝缘层上的像素电极,以及设置在栅极层上的栅绝缘层过孔,其中,所述像素电极和所述栅绝缘层过孔通过一次构图形成。
4.一种显示设备,其特征在于,包括如权利要求1-3任一所述的TFT阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的