[实用新型]一种新型晶片座

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体焊接领域，具体涉及一种新型晶片座。

背景技术

现有技术中，晶片座结构如图1所述，包括一晶片座1，所述晶片座1设置于导线架2上，此结构的缺点在于晶片座表面太光滑，熔化后的锡线点在晶片座上然后用压膜头将其压匀时，晶片表面太光滑，粘合力不足导致压膜后分布不均匀，从而给焊片造成困难。

    申请号为200620102765.7中国专利公开了名称为“一种改进型发功率三极管引线框架”的实用新型专利，所示引线框架采用在芯片部上增加网格的方法来增加引线框架与芯片的结合力，从而提高产品的使用寿命，但由于通过设置网格这种方法所产生的结合力有限，对于一些高端和精密产品来说，并不能满足产品的要求，从而影响其引线框架与芯片的结合力。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型晶片座，使得原本光滑的表面增大摩擦，解决现有晶片座由于表面粘合力不足导致压膜后锡液分布不均匀的现状，便于后期焊片。

为了实现以上目的，本实用新型提供一种新型晶片座，包括晶片座，所述晶片座设置于导线架上，所述晶片座为矩形结构，本实用新型的改进之处在于，所述晶片座上设有若干个凹点。

进一步的，所述凹点在所述晶片座上均匀分布。

作为一种实施方式，所述凹点为“+”字型结构。

作为另一种实施方式，所述凹点为“×”字型结构。

本实用新型提供的一种新型晶片座，在原本光滑的表面打上若干个均匀的凹点，增大表面摩擦，从而使得结合材分布均匀，提高表面粘合力，解决了现有晶片座由于表面粘合力不足导致压膜后锡液分布不均匀的现状，便于后期焊片。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的晶片座的结构示意图；

图2为本实用新型提供的一种新型晶片座的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型提供一种新型晶片座，使得原本光滑的表面增大摩擦，解决现有晶片座由于表面粘合力不足导致压膜后锡液分布不均匀的现状，便于后期焊片。

下面将结合本实用新型中的附图，对本实用新型中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参见图2，一种新型晶片座，包括晶片座10，所述晶片座10设置于导线架11上，所述晶片座10为矩形结构，所述晶片座上10设有若干个凹点12，所述凹点12在所述晶片座上均匀分布，作为一种具体实施方式，所述凹点为“+”字型结构，增大表面摩擦，从而使得结合材分布均匀，提高表面粘合力；作为另一种具体实施方式，所述凹点为“×”字型结构，增大表面摩擦，从而使得结合材分布均匀，提高表面粘合力。

通过以上描述可知，本实用新型提供的一种新型晶片座，在原本光滑的表面打上若干个均匀的凹点，增大表面摩擦，从而使得结合材分布均匀，提高表面粘合力，解决了现有晶片座由于表面粘合力不足导致压膜后锡液分布不均匀的现状，便于后期焊片。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。