[实用新型]用于电池组保护MOSFET的公共漏极电源夹件

权利要求书

1.一种封装的半导体器件，包括： 

引线框架，其具有延伸到外部端子上的源极引线、栅极引线和漏极引线； 

单个半导体衬底，其具有上表面和下表面以及第一MOSFET和第二MOSFET，每个MOSFET具有位于所述衬底的所述上表面的源极接触区域和栅极接触区域，所述源极接触区域和栅极接触区域通过所述衬底相互隔离，且所述衬底具有位于所述衬底的所述下表面上并连接到两个MOSFET上的公共漏极； 

构件，其用于将所述引线框架的源极外部端子、栅极外部端子和漏极外部端子连接到所述衬底的所述源极、栅极和公共漏极上； 

金属部件，其耦合到所述衬底上且位于所述衬底的与所述引线框架相对的表面上；以及 

模塑料，其将所述引线框架、所述衬底和所述金属部件嵌入到绝缘树脂中并将所述引线框架的连接到所述衬底的所述源极、栅极和直通漏极区域上的外部端子暴露在外。 

2.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述模塑料的一部分被去除，以将所述金属部件的相应部分暴露在外。 

3.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述金属部件为散热块，且位于所述衬底的底部的所述公共漏极通过高度掺杂扩散连接到位于所述衬底的所述上表面的漏极接触上。 

4.根据权利要求1所述的封装的半导体器件，其中，所述金属部件为夹件，且所述衬底以倒装芯片的方式安装在所述引线框架上，且所述夹件将所述公共漏极连接到一个或多个外部漏极引线上。 

5.一种封装的半导体器件，包括： 

引线框架，其具有延伸到外部端子的源极引线、栅极引线和漏极引线； 

单个半导体衬底，其具有上表面和下表面以及位于所述衬底上的第一 MOSFET和第二MOSFET，每个MOSFET具有位于所述衬底的所述上表面的源极接触区域和栅极接触区域，所述源极接触区域和栅极接触区域通过所述衬底相互隔离； 

扩散，其从每个MOSFET的表面延伸到公共漏极，以提供位于所述衬底的所述上表面与位于所述衬底的下表面的所述公共漏极的接触； 

散热块，其固定到所述半导体衬底的所述下表面上；以及 

模塑料，其将所述引线框架、所述衬底和所述散热块嵌入到绝缘树脂中并将连接到衬底的所述源极、栅极和直通漏极区域上的所述引线框架的外部端子暴露在外。 

6.根据权利要求5所述的封装的半导体器件，其中，所述模塑料的一部分被去除，以将所述散热块的相应部分暴露在外。 

7.根据权利要求5所述的封装的半导体器件，其中，所述引线框架具有位于下部的外部引线和位于上部的内部引线。 

8.根据权利要求6所述的封装的半导体器件，其中，所述引线框架具有位于其上表面上的漏极焊盘，用于接触位于所述衬底的所述上表面的所述漏极区域。 

9.根据权利要求5所述的封装的半导体器件，其中，所述衬底以倒装芯片的方式安装在所述引线框架上。 

10.一种封装的多衬底半导体器件，包括： 

引线框架，其具有延伸到外部端子上的源极引线、栅极引线和漏极引线； 

单个半导体衬底，其具有上表面和下表面以及第一MOSFET和第二MOSFET，每个MOSFET具有位于所述衬底的所述上表面的源极接触区域和栅极接触区域，所述源极接触区域和栅极接触区域通过所述衬底相互隔离； 

漏极夹件，其固定到所述衬底的公共漏极上并具有延伸到所述引线框架的所述漏极引线的一个或多个引线；以及 

模塑料，其将所述引线框架、所述衬底和所述夹件嵌入到绝缘树脂中并将连接到所述源极、栅极和漏极夹件上的所述引线框架的外部端子暴露在外。 

11.根据权利要求10所述的封装的多衬底半导体器件，其中，所述模塑料的一部分被去除，以将所述夹件的相应部分暴露在外。 

12.根据权利要求10所述的封装的多衬底半导体器件，其中，所述引线框架具有位于下部的外部引线和位于上部的内部引线。 

13.根据权利要求12所述的封装的多衬底半导体器件，其中，所述引线框架具有位于其上表面的用于接触所述夹件的漏极焊盘。 

14.根据权利要求10所述的封装的多衬底半导体器件，其中，所述衬底以倒装芯片的方式安装在所述引线框架上。