[实用新型]一种液晶基电调空间分辨率全色成像探测芯片有效
申请号: | 201320571515.8 | 申请日: | 2013-09-13 |
公开(公告)号: | CN203466194U | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 张新宇;佟庆;康胜武;罗俊;桑红石;谢长生 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J5/10 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶 基电调 空间 分辨率 全色 成像 探测 芯片 | ||
1.一种液晶基电调空间分辨率全色成像探测芯片,包括陶瓷外壳、金属支撑和散热板、驱控和图像预处理模块、面阵全色成像探测器、以及面阵电控液晶微透镜,其特征在于,
驱控和图像预处理模块、面阵全色成像探测器、以及面阵电控液晶微透镜设置于陶瓷外壳内;
陶瓷外壳后部固定设置于金属支撑和散热板顶部;
驱控和图像预处理模块固定设置于陶瓷外壳后部与金属支撑和散热板连接处;
面阵全色成像探测器平行设置于驱控和图像预处理模块顶部;
面阵电控液晶微透镜平行设置于面阵全色成像探测器顶部,并通过陶瓷外壳面部开孔将其光入射面裸露出来;
驱控和图像预处理模块、面阵全色成像探测器、以及面阵电控液晶微透镜同轴顺序设置;
面阵电控液晶微透镜包括M×N个单元微透镜,其中M和N均为正整数;
面阵全色成像探测器被划分为M×N个子面阵全色成像探测器,该子面阵红外探测器的数量与面阵电控液晶微透镜中微透镜的数量相同,每个子面阵全色成像探测器包括P×Q个光敏元,其中P和Q均为正整数;
面阵电控液晶微透镜用于接收来自目标出射的红外光,并将该红外光汇聚到面阵全色成像探测器中不同子面阵全色成像探测器的对应光敏元上;
驱控和图像预处理模块用于为面阵全色成像探测器提供驱动和调控信号;
光敏元用于在驱动和调控信号的作用下对红外光执行光电转换为电信号,并将该电信号传送到驱控和图像预处理模块;
驱控和图像预处理模块还用于对电信号进行预处理,以生成图像数据,并将该图像数据输出。
2.根据权利要求1所述的液晶基电调空间分辨率全色成像探测芯片,其特征在于,来自不同位置的红外光被单元微透镜汇聚到不同的子面阵全色成像探测器上,来自不同位置、但处于相同方向的红外光被单元微透镜汇聚到不同子面阵全色成像探测器中相同位置处的光敏元上。
3.根据权利要求1所述的液晶基电调空间分辨率全色成像探测芯片,其特征在于,驱控和图像预处理模块对电信号进行预处理采用的是非均匀性校正方法。
4.根据权利要求1所述的液晶基电调空间分辨率全色成像探测芯片,其特征在于,
陶瓷外壳的侧面设置有驱控信号输出端口,用于输出驱控和图像预处理模块提供给面阵全色成像探测器的驱动和调控信号;
陶瓷外壳的侧面设置有第一指示灯,该灯接通用于显示驱控和图像预处理模块处在正常工作状态;
陶瓷外壳的侧面设置有探测器驱控信号输入端口,用于输入面阵全色成像探测器的驱动和调控信号;
陶瓷外壳的侧面设置有第二指示灯,该灯接通用于显示面阵全色成像探测器处在正常工作状态;
陶瓷外壳的侧面设置有微透镜驱控信号输入端口,用于输入面阵电控液晶微透镜的驱动和调控信号;
陶瓷外壳的侧面设置有第三指示灯,该灯接通用于显示面阵电控液晶微透镜处在正常工作状态。
5.根据权利要求1所述的液晶基电调空间分辨率全色成像探测芯片,其特征在于,
陶瓷外壳的底面设置有光电测量信号输出端口,用于输出面阵全色成 像探测器的光电响应信号;
陶瓷外壳的底面设置有第四指示灯,该灯接通用于显示面阵全色成像探测器处在正常的信号输出状态;
陶瓷外壳的底面设置有光电响应信号输入和全色图像数据输出端口,用于将全色成像探测器的光电响应信号输入驱控和图像预处理模块,以及将全色图像数据从驱控和图像预处理模块输出;
陶瓷外壳的底面设置有第五指示灯,该灯接通用于显示驱控和图像预处理模块处在正常的数据输出状态。
6.根据权利要求1所述的液晶基电调空间分辨率全色成像探测芯片,其特征在于,
陶瓷外壳的侧面设置有电源端口,用于接入电源线以与外部电源连接;
陶瓷外壳的侧面设置有第六指示灯,该灯接通用于显示电源已接通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的