[实用新型]一种MOCVD反应炉有效

专利信息
申请号: 201320577517.8 申请日: 2013-09-17
公开(公告)号: CN203569236U 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 陈依新;樊志滨;王勇飞 申请(专利权)人: 北京思捷爱普半导体设备有限公司
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 101312 北京市顺义区天竺综*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 mocvd 反应炉
【权利要求书】:

1.一种MOCVD反应炉,包括炉筒,炉筒上部的炉盖部件,炉筒内部的主盘部件;其特征在于:炉盖部件包括,炉盖本体(41)、炉盖上盖(42)、氢气进入口(43)、MO源进气部件(44)、水冷控温板(45)氢气膜形成环(46);炉盖上盖(42)在炉盖本体(41)的上方,氢气进入口(43)在炉盖上盖(42)上;水冷控温板(45)在炉盖本体(41)的下面,氢气膜形成环(46)在水冷控温板(45)的下面;并且相邻两个氢气膜形成环(46)之间有缝隙;

主盘部件结构包括,主盘(61)、副盘(62)、上保持架(63)、陶瓷滚珠(64)、下保持架(65);MO源进气部件在炉盖本体的中轴线上;主盘上有n个圆环状的台阶孔,圆环状的下保持架在台阶孔内,陶瓷滚珠在下保持架上,圆环状的上保持架在陶瓷滚珠上;n个副盘在上保持架上;副盘的下表面边缘有齿状结构,与主盘下方的固定在石英护板上的定齿轮相互啮合,其中n大于等于2。

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