[实用新型]升压式电荷泵

权利要求书

1.一种升压式电荷泵，包括至少一第一电荷汲取单元、一第二电荷汲取单元以及输出存储电容，其特征在于， 所述第一电荷汲取单元包括第一电荷泵电容、第一输出PMOS晶体管以及至少一充电时钟信号端，所述第二电荷汲取单元包括第二电荷泵电容、第二输出PMOS晶体管以及至少一充电时钟信号端； 

所述第一输出PMOS晶体管的源极与所述第一电荷泵电容相连，栅极与所述第二电荷泵电容相连，漏极与所述输出存储电容相连同时接电荷泵电压输出端，衬底与一电压选择电路相连； 

所述第二输出PMOS晶体管的源极与所述第二电荷泵电容相连并连接至所述第一输出PMOS晶体管的栅极，所述第二输出PMOS晶体管的栅极与所述第一电荷泵电容相连并连接至所述第一输出PMOS晶体管的源极，所述第二输出PMOS晶体管的漏极与所述输出存储电容相连同时接所述电荷泵电压输出端，所述第二输出PMOS晶体管的衬底分别与所述电压选择电路以及所述第一输出PMOS晶体管的衬底相连； 

在所述第一输出PMOS晶体管根据充电时钟信号导通时，所述第二输出PMOS晶体管切断，第一电荷泵电容对输出存储电容充电；在所述第二输出PMOS晶体管根据充电时钟信号导通时，所述第一输出PMOS晶体管切断，第二电荷泵电容输出存储电容充电。

2.根据权利要求1所述的升压式电荷泵，其特征在于，所述电压选择电路包括一第五PMOS开关、一第六PMOS开关以及一衬底电位存储电容，所述第五PMOS开关以及第六PMOS开关均为漏极和衬底相接并通过所述衬底电位存储电容接入等电势端； 

所述第五PMOS开关的源极分别接至所述第一输出PMOS晶体管的栅极、第二输出PMOS晶体管的源极以及第六PMOS开关的栅极，所述第五PMOS开关的栅极分别接至所述第一输出PMOS晶体管的源极、第二输出PMOS晶体管的栅极以及第六PMOS开关的源极，所述第五PMOS开关的漏极分别接至所述第一输出PMOS晶体管的衬底、第二输出PMOS晶体管的衬底以及第六PMOS开关的漏极。

3.根据权利要求1或2所述的升压式电荷泵，其特征在于，所述第一电荷汲取单元进一步包括一第一NMOS开关，所述第一NMOS开关的源极与衬底相连并接入电荷泵电压输入端，栅极与所述第二电荷泵电容相连，漏极与所述第一电荷泵电容相连并连接至所述第一输出PMOS晶体管的源极。

4.根据权利要求3所述的升压式电荷泵，其特征在于，所述第一电荷汲取单元进一步包括一第一PMOS开关以及一第三NMOS开关； 

所述第一PMOS开关的源极与衬底相连并接入电荷泵电压输入端，栅极与一充电时钟信号端相连，漏极与所述第三NMOS开关的漏极相连并通过所述第一电荷泵电容连接至所述第一输出PMOS晶体管的源极； 

所述第三NMOS开关的源极与衬底相连并接入等电势端，栅极与一充电时钟信号端相连，漏极与所述第一PMOS开关的漏极相连并通过所述第一电荷泵电容连接至所述第一NMOS开关的漏极。

5.根据权利要求1或2所述的升压式电荷泵，其特征在于，所述第二电荷汲取单元进一步包括一第二NMOS开关，所述第二NMOS开关的源极与衬底相连并接入电荷泵电压输入端，栅极与所述第一电荷泵电容相连，漏极与所述第二电荷泵电容相连并连接至所述第二输出PMOS晶体管的源极。

6.根据权利要求5所述的升压式电荷泵，其特征在于，所述第二电荷汲取单元进一步包括一第二PMOS开关以及一第四NMOS开关； 

所述第二PMOS开关的源极与衬底相连并接入电荷泵电压输入端，栅极与一充电时钟信号端相连，漏极与所述第四NMOS开关的漏极相连并通过所述第二电荷泵电容连接至所述第二输出PMOS晶体管的源极； 

所述第四NMOS开关的源极与衬底相连并接入等电势端，栅极与一充电时钟信号端相连，漏极与所述第二PMOS开关的漏极相连并通过所述第二电荷泵电容连接至所述第二NMOS开关的漏极。