[实用新型]一种小尺寸半导体激光器有效
| 申请号： | 201320585043.1 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN203491505U | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;沈燕;徐现刚;王英 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223;H01S5/042 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种小尺寸半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm。
2.根据权利要求1所述的一种小尺寸半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的周期尺寸为120-150μm。
3.根据权利要求2所述的一种小尺寸半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的周期尺寸为150μm。
4.根据权利要求1所述的一种小尺寸半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器是纯条结构：所述半导体激光器，包括由下而上依次设置的N面电极、GaAs衬底、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层和带有刻蚀截止层的P型上限制层，在所述刻蚀截止层的上表面设置有脊条状P型上限制层，在所述脊条上设置有欧姆接触层，在所述P型上限制层上设置有露出欧姆接触层的绝缘层，在所述绝缘层和欧姆接触层上设置有P面电极。
5.根据权利要求4所述的一种小尺寸半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器是带肩结构：在所述脊条状P型上限制层的脊条两侧对称设置有带肩结构。
6.根据权利要求4或5所述的一种小尺寸半导体激光器，其特征在于，所述的脊条状P型上限制层的脊条宽度为4-5μm。
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