[实用新型]一种新型的激光功率计有效

专利信息
申请号: 201320587733.0 申请日: 2013-09-22
公开(公告)号: CN203443667U 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 汪晓波;杨冰;李翔;张榕光 申请(专利权)人: 苏州红蓝光电科技有限公司
主分类号: G01J1/42 分类号: G01J1/42
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 激光 功率
【说明书】:

技术领域

实用新型属于光学仪器领域,具体地说是一种能够快速响应瞬时变化的高功率激光功率计,适用于高功率激光测量时,需要检测激光功率的瞬时突然变化的情况。

背景技术

激光功率计是用来测试连续激光的功率或者脉冲激光在某一段时间的平均功率的仪器。激光功率计一般由探头和显示设备组成,激光功率计探头按照不同的原理和材料分为热电堆型、光电二极管型。热电堆型激光功率计通过热电堆结构将光能转换成热量,再转换为电信号输出,通过校准来精确测量激光功率的大小。而光电二极管型探头通过光电二极管,直接将光能转换为电流或者电压信号,再通过校准来精确测量激光功率的大小。

热电堆型激光功率探头和光电二极管型各自有明显的优缺点:常用于高功率连续激光的功率测试的探头为表面吸收结构激光热电堆型激光功率计。激光热电堆型激光功率计表面吸收材料种类较多,对应不同的吸收光谱和不同的功率密度损伤阈值。从紫外到远红外波段均可使用,测量范围也可以从mW量级到数kW量级,但这种类型的探头测量连续激光辐照时响应时间很慢,通常需要几分钟才能达到热平衡。

光电二极管型激光功率计探头,通常对使用波长有一定限制,比如Si光电二极管通常只能测量1微米以内的光,更适合测量功率较小的激光,通常能够直接探测1pW到数百mW的,加了特定波段的绿光片,通常可以测量3W以内的激光。但光电二极管型探头的响应时间非常快,响应频率非常高,如硅光电二极管几百MHz~上千MHz,即响应时间ns量级;PIN光电二极管-10GHz,雪崩光电二极管100GHz,即响应时间为ps量级。为了解决现有技术的不足,本实用新型提出一种能够快速响应瞬时变化的高功率激光功率计。

实用新型内容

针对上述问题,本实用新型旨在提供一种新型的激光功率计。

为实现该技术目的,本实用新型的方案是:一种新型的激光功率计,包括热电堆型光功率探头、光电二极管型激光功率探头;所述热电堆型光功率探头与光电二极管型激光功率探头通过导线相连接;所述热电堆型光功率探头直接探测入射光的平均功率;所述光电二极管型激光功率探头探测入射光照射到热电堆型探测器上的散射光;所述光电二极管型激光功率探头正前方放置连续型衰减片。

作为优选,所述热电堆型光功率探头容许探测的连续激光的功率大于3W,响应时间为分钟左右。

作为优选,所述光电二极管型激光功率探头容许探测的散射光功率为几百mW以内,准确响应时间约为ns量级、甚至ps量级。

作为优选,所述连续型衰减片用来控制照射到光电二极管探头上强度,让光电二极管探头出于线性响应区。

作为优选,所述热电堆型光功率探头输出的信号采用数值型表头输出,而光电二极管型激光功率探头采用指针型、模拟指针型表头或者历史轨迹型表头输出。

有益效果

本实用新型设计合理,显著改善了热堆型激光功率计的瞬时响应特性。

附图说明

图1为一种新型激光功率计的结构示意图;

图2为线性衰减片保证光电二极管处于线性响应区的结构示意图;

图3为旋转衰减片保证光电二极管处于线性响应区的结构示意图;

图中:热电堆型光功率探头1、光电二极管型激光功率探头2、线性衰减片3、旋转衰减片4。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。

如图1所示,本实用新型实施例的一种新型的激光功率计,包括热电堆型光功率探头1、光电二极管型激光功率探头2;所述热电堆型光功率探头1与光电二极管型激光功率探头2通过导线相连接;所述热电堆型光功率探头1直接探测入射光的平均功率;所述光电二极管型激光功率探头2探测入射光照射到热电堆型探测器上的散射光;所述光电二极管型激光功率探头2正前方放置连续型衰减片。

作为优选,所述热电堆型光功率探头1容许探测的连续激光的功率大于3W,响应时间为1分钟左右。

作为优选,所述光电二极管型激光功率探头2容许探测的散射光功率为几百mW以内,准确响应时间约为ns量级、甚至ps量级。

作为优选,所述连续型衰减片用来控制照射到光电二极管探头2上强度,让光电二极管探头2出于线性响应区。

作为优选,所述热电堆型光功率探头1输出的信号采用数值型表头输出,而光电二极管型激光功率探头2采用指针型、模拟指针型表头或者历史轨迹型表头输出。

以上所述,仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进,均应包含在本实用新型技术方案的保护范围之内。

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