[实用新型]一种开关尖峰电压吸收电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及开关电源领域，特别涉及一种开关尖峰电压吸收电路。

背景技术

在高频开关电源中，功率开关在关断时由于漏电感的存在会产生尖峰电压，这样就可能损坏功率开关管，所以都需要用钳位电路加以抑制。由于RCD钳位电路结构简单经济易实现，因而在开关电路中RCD钳位电路更具有实用价值，常规RCD吸收电路如图1所示。在反激变换器的应用中，由于工作频率是在高频，相应的吸收二极管也采用高频管。然而高频二极管所组成的RCD电路只能吸收漏电感的尖峰电压，对电路工作中出现的EMI问题改善不大，所以通常在小功率反激式电路中采用低频二极管来组成RCD钳位电路，这样的好处是既解决了开关管的尖峰电压吸收同时又可以改善EMI问题。但是由于把普通低频二极管使用在高频场合，部分低频二极管会出现不能承受高频工作而烧坏的情况，从而使RCD电路失效，并最终导致烧坏电路的功率开关管。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述不能同时实现既能吸收漏电感的尖峰电压又能改善EMI问题的缺陷，提供一种既能吸收漏电感的尖峰电压又能改善EMI问题的开关尖峰电压吸收电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种开关尖峰电压吸收电路，包括开关管、与所述开关管连接的吸收单元、与所述吸收单元连接的电压转换单元；所述吸收单元包括第一电阻、第一电容、高频二极管和低频二极管，所述第一电阻和第一电容并联，所述高频二极管和低频二极管同向并联，所述第一电阻和第一电容并联的一端与所述电压转换单元的一端连接，并联的另一端与所述高频二极管和低频二极管同向并联的一端连接， 所述高频二极管和低频二极管同向并联的另一端分别与所述电压转换单元的另一端和所述开关管的一端连接。

在本实用新型所述的开关尖峰电压吸收电路中，所述开关管为MOS管，所述高频二极管的阳极和低频二极管的阳极连接后与所述MOS管的漏极连接，所述MOS管的源极接地。 

在本实用新型所述的开关尖峰电压吸收电路中，所述电压转换单元包括变压器、第一二极管和第二电容；所述变压器的原边分别与所述第一电阻和第一电容并联的一端、所述高频二极管的阳极和低频二极管的阳极连接，所述变压器的副边分别与所述第一二极管的阳极和第二电容的一端连接，所述第一二极管的阴极和第二电容的另一端连接。 

在本实用新型所述的开关尖峰电压吸收电路中，所述变压器原边中与所述高频二极管的阳极和低频二极管的阳极连接的一端、所述变压器副边中与所述第一二极管的阳极连接的一端是同名端。 

在本实用新型所述的开关尖峰电压吸收电路中，所述吸收电路为无源吸收电路。 

实施本实用新型的开关尖峰电压吸收电路，具有以下有益效果: 由于吸收单元中二极管采用高频二极管和低频二极管并联方式，结合两种二极管各自的特点，达到了既能吸收漏电感产生的尖峰电压，又能改善EMI特性，还能保证低频二极管安全可靠地工作。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为背景技术中常规RCD吸收电路的结构示意图；

图2为本实用新型开关尖峰电压吸收电路一个实施例中的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。