[实用新型]一种太阳能电池片的电极结构有效
申请号: | 201320593162.1 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN203521432U | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 任军海;赵岩磊;高茜 | 申请(专利权)人: | 衡水英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 李荣文 |
地址: | 053000 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种太阳能电池片的电极结构。
背景技术
太阳能电池,是一种光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品,不会引起任何污染,而且是可再生资源,所以在当今能源短缺的情形下,太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。太阳能电池片的制造工艺一般有如下几个步骤:制绒、扩散、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极、烧结等。太阳能电池片在将光能转换成电能的过程中,其内部产生的光生载流子需要通过外部印刷的电极收集并引出,然后与外部电路连接,从而将电流输送出来。太阳能电池的正面结构电极图案包括细栅线和粗栅线,细栅线的作用是汇集并导出由细栅线收集的电流。由于细栅线和主栅线会在太阳能电池片的正面占据一定的表面积,这会对太阳能电池片的光电转换效率产生重要的影响。
高方阻密栅线工艺就是太阳能电池提高转换效率的一个发展方向。所谓高阻指扩散方阻较大,扩散方阻越大,少子在表面复合的就越少,短路电流越大,从而光电转换效率越高。高阻密栅线工艺形成的太阳能电池,随着扩散方阻的增大,同时会增加金属浆料和硅片本身的接触电阻,从而增大串联电阻,现有技术中通过增加主栅线的数量来降低串联电阻,提高电池填充因子。
目前行业普遍使用的太阳能电池的结构主要分为两种:一种是电池表面细栅线比较稀疏的结构,一般156*156规格的电池片栅线个数为60-75根;另一种是现在比较热门的高阻密栅线结构,如专利号:201010564038.3的太阳能晶硅电池密栅印刷工艺,采用密栅线设计。专利号:201120496826.3的一种高阻密栅新型高效的太阳能单晶硅电池片,采用栅线根数65-75,栅线宽度:60-70um,降低栅线宽度,增加栅线的根数来提升电池的转化效率。
传统的印刷工艺采用疏栅,较少的栅线无法完全收集电流,导致提升电池片效率空间低。电池片表面过多的栅线会增加电池片的遮光面积,降低光电转换电能的能力;由于太阳能电池正面的主栅线的印刷浆料是银浆,增加主栅线的数量,必然会增加银浆的使用量,从而会增加太阳能电池的成本。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种太阳能电池片的电极结构,所述电极结构可以增大电池的受光面积,提高了电池的转换效率,且银浆的使用量减少,降低了生产成本。
为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是:一种太阳能电池片的电极结构,包括主栅和副栅,所述副栅与主栅垂直,其特征在于每条主栅包括细栅线段和粗栅线段,所述细栅线段与粗栅线段间隔设置的连接在一起形成主栅,所述细栅线段的长度为9.5-10.5mm,宽度为0.4-0.6mm,所述粗栅线段的长度为9-10mm,宽度为1.3-1.7mm。
进一步的,所述副栅的宽度为0.04-0.05mm,所述副栅包括高副栅和低副栅,所述高副栅位于方阻较高的中间区域,所述低副栅位于方阻较低的四周区域,所述高副栅的密度大于低副栅的密度。
进一步的,所述主栅设有三根,两条主栅之间的距离为50mm-55mm。
进一步的,所述副栅设有75-85根。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:所述电极结构中的主栅含有细栅线段,可以大大降低银浆使用量,从而降低了电极的制造成本;细栅线段可以增加电池的受光面积,提高了电池转化效率。高副栅位于方阻较高的区域,可以降低串联电阻,提高填充因子,低副栅合理的分布在电池四周方阻较低的区域,同样降低了银浆的使用量,进一步降低了生产成本。所述电极结构通过高副栅和低副栅的合理分布,极大的增加了太阳光的辐照量,提高了光电输出。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型的结构示意图;
其中:1、主栅 11、细栅线段 12、粗栅线段 2、副栅 21、高副栅 22、低副栅。
具体实施方式
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